論文 - 植杉　克弘

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  1. Solid-phase epitaxy processes of amorphized silicon surfaces by Ar-ion bombardment observed in-situ with ultra-high-vacuum tunneling microscopy operated at high-temperature

    T. Yao, K. Uesugi, M. Yoshimura, T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuki，APPLIED SURFACE SCIENCE，75巻，(頁 139 ～ 143)，1994年

  2. Scanning-tunneling-microscopy study of solid-phase epitaxy processes of amorphous-silicon layers on silicon substrates

    K. Uesugi, T. Komura, M. Yoshimura, T. Yao，APPLIED SURFACE SCIENCE，82/83巻，(頁 367 ～ 373)，1994年

  3. Scanning-tunneling-microscopy study of the reaction of AlCl3 with the Si(111) surface

    K. Uesugi, T. Takiguchi, M. Yoshimura, T. Yao，JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOLOGY B，12巻，3号，(頁 2008 ～ 2011)，1994年

  4. Scanning-tunneling-microscopy study of solid-phase epitaxy processes of argon ion-bombarded silicon surface and recovery of crystallinity by annealing

    K. Uesugi, M. Yoshimura, T. Yao, T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuki，JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOLOGY B，12巻，3号，(頁 2008 ～ 2011)，1994年

  5. Scanning-tunneling-microscopy observation of Ar-ion-bombarded SI(001) surfaces and regrowth processes by thermal annealing

    K. Uesugi, M. Yoshimura, T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuki, T. Yao，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，32巻，12B号，(頁 6203 ～ 6205)，1993年

  6. Observation of solid-phase epitaxy processes of Ar ion bombarded Si(001) surfaces by scanning tunneling microscopy

    K. Uesugi, T. Yao, T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuki，APPLIED PHYSICS LETTERS，64巻，14号，(頁 1600 ～ 1602)，1993年

  7. Adsorption and desorption of AlCl3 on Si(111)7X7 observed by scanning-tunneling-microscopy and atomic-force microscopy

    K. Uesugi, T. Takiguchi, M. Izawa, M. Yoshimura, T. Yao，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，32巻，12B号，(頁 6200 ～ 6202)，1993年

  8. Characterization of HF-treated SI(111) surfaces

    T. Konishi, K. Uesugi, K. Takaoka, S. Kawano, M. Yoshimura, T. Yao，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，32巻，7号，(頁 3131 ～ 3134)，1993年

  9. Nanometer-scale deposition of Ga on HF-treated Si(111) surfaces through the decomposition of triethylgallium by scanning-tunneling-microscopy

    K. Uesugi, K. Sakata, S. Kawano, M. Yoshimura, T. Yao，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，32巻，6A号，(頁 2481 ～ 2817)，1993年

  10. Nanometer-scale fabrication on graphite surfaces by scanning tunneling microscopy

    K. Uesugi and T. Yao，Ultramicroscopy，42-44巻，(頁 1443 ～ 1445)，1992年

  11. STMによるシリコン表面の構造評価

    植杉克弘，高岡克也，八百隆文，電気学会電子情報システム部門誌C分冊，112巻，11号，(頁 671 ～ 678)，1992年

  12. Molecular beam epitaxy/atomic layer epitaxy growth processes of wide-band-gap II-VI compounds: Characterization of surface stoichiometry by reflection high-energy electron diffraction

    T. Yao, Z. Zhu, K. Uesugi, S. Kamiyama and M. Fujimoto，J. Vac. Sci. Technol. A，8巻，2号，(頁 997 ～ 1001)，1990年

  13. Surface processes in ALE and MBE growth of ZnSe: Adsorption and sublimation processes

    Z. Zhu, M. Hagino, K. Uesugi, S. Kamiyama, M. Fujimoto and T. Yao，J. Crystal Growth，99巻，(頁 441 ～ 445)，1990年

  14. Surface processes in ALE and MBE growth of ZnSe: Correlation of RHEED intensity variation with surface coverage

    Z. Zhu, M. Hagino, K. Uesugi, S. Kamiyama, M. Fujimoto and T. Yao，Jpn. J. Appl. Phys，28巻，9号，(頁 1659 ～ 1663)，1989年

  15. RHEEDによるZnTeのALE成長過程の観察

    神山さとみ，植杉克弘，藤本雅己，朱自強，八百隆文，表面科学，10巻，5号，(頁 358 ～ 363)，1989年

  16. ZnカルコゲナイドのRHEED振動における表面ストイキオメトリーの効果

    藤本雅己，植杉克弘，神山さとみ，朱自強，八百隆文，表面科学，10巻，5号，(頁 410 ～ 415)，1989年

  17. RHEED振動観察によるZnカルコゲナイドの2次元成長条件

    植杉克弘，神山さとみ，藤本雅己，朱自強，八百隆文，表面科学，10巻，6号，(頁 429 ～ 434)，1989年

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