論文 - 植杉　克弘

1. Annealing Dependence on Structural and Electrical Characteristic of n-ZnO/p-CuGaO2 Transparent Heterojunction Diode

   Muhammad Hafiz Abu Bakar, Lam Mui Li, Khairul Anuar Mohamad, Fouziah Md Yassin, Chee Fuei Pien, Afishah Alias, Katsuhiro Uesugi，Advanced Science Letters，23巻，11号，(頁 11564 ～ 11566)，2017年11月

   

2. Metal-organic molecular beam epitaxy of GaAsNSe films using Ga droplets on GaP(001)

   Yuki Shimomura, Yosuke Igarashi, Shinji Kimura, Yuhei Suzuki, Yoshihiro Tada, Hisashi Fukuda, and Katsuhiro Uesugi，Japanese Journal of Applied Physics，55巻，8S1号，2016年08月

   

3. 液相中への縦波放射を利用したレイリー型表面弾性波センサーの開発

   小川　健吾，鳥越　俊彦，澤田　研，岩佐　達郎，永野 宏治，柴山　義行，夛田　芳広，植杉　克弘，福田　永，電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌），135巻，12号，(頁 490 ～ 495)，2015年12月

   

4. 縦波表面弾性波を用いた液相系センサーの動作特性

   小川健吾、山田真也、鳥越俊彦、澤田　研、岩佐達郎、杉山史一、夛田芳広、植杉克弘、福田　永，表面科学，35巻，6号，(頁 319 ～ 323)，2014年06月

   

5. Mixed P3HT/PCBM Organic Thin-Film Transistors: Relation between Morphology and Electrical Characteristics

   Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Kumar Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda，J. Chem. Chem. Eng.，8巻，(頁 476 ～ 323)，2014年05月

   

6. Organic field-effect transistors with reversible threshold voltage shifts for memory element

   Mohamad, K.A., Alias, A., Saad, I., Uesugi, K., Fukuda, H.，International Journal of Simulation-Systems, Science and Technology，13巻，3C号，(頁 42 ～ 47)，2012年06月

   

7. Temperature dependence of CuGaO 2 films fabricated by sol-gel method

   Alias, A., Sakamoto, M., Kimura, T., Uesugi, K.，Japanese Journal of Applied Physics，51巻，3 PART 1号，(頁 035503 ～ )，2012年03月

   

8. Characterization of CuGaO 2 films prepared by sol-gel methods

   Alias, A., Sakamoto, M., Kimura, T., Uesugi, K.，Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics，9巻，2号，(頁 198 ～ 201)，2012年02月

   

9. N-Channel organic thin-film transistors based on naphthalene- bis(dicarboximide) polymer for organic transistor memory using hole-acceptor layer

   Mohamad, K.A., Yousuke, K., Uesugi, K., Fukuda, H.，Japanese Journal of Applied Physics，50巻，9 PART 1号，(頁 091603 ～ )，2011年09月

   

10. Bias-induced threshold voltage shifts in organic thin-film transistors by soluble fullerene layers on gate dielectric

    Mohamad, K.A., Uesugi, K., Fukuda, H.，Japanese Journal of Applied Physics，50巻，1 PART 3号，(頁 01BC04 ～ )，2011年01月

    

11. Fabrication of zno thin-film transistors by chemical vapor deposition method

    Alias, A., Hazawa, K., Kawashima, N., Fukuda, H., Uesugi, K.，Japanese Journal of Applied Physics，50巻，1 PART 3号，(頁 01BG05 ～ )，2011年01月

    

12. Poly(3-hexylthiophene)/fullerene organic thin-film transistors: Investigation of photoresponse and memory effects

    Mohamad, K.A., Goto, K., Uesugi, K., Fukuda, H.，Japanese Journal of Applied Physics，49巻，6 PART 2号，(頁 06GG091-06GG094 ～ )，2010年06月

    

13. Molecular orientation of poly(3-hexylthiophene)/fullerene composite thin films

    Mohamad, K.A., Komatsu, N., Uesugi, K., Fukuda, H.，Japanese Journal of Applied Physics，49巻，4 PART2号，(頁 04DK25 ～ )，2010年04月

    

14. Organic thin-film transistor memory with nanocrystal carbon dots

    Tada, Y., Mohamad, K.A., Uesugi, K., Fukuda, H.，e-Journal of Surface Science and Nanotechnology，8巻，(頁 250 ～ 253)，2010年03月

    

15. Carbon nanocrystal-based organic thin-film transistors for nonvolatile memory nanodevices

    Mohamad, K.A., Tada, Y., Miura, T., Uesugi, K., Fukuda, H.，e-Journal of Surface Science and Nanotechnology，7巻，(頁 665 ～ 668)，2009年03月

    

16. Bias stress and memory effect in pentacene-based organic thin-film transistors with a fullerene layer

    Mohamad, K.A., Yamada, S., Uesugi, K., Fukuda, H.，e-Journal of Surface Science and Nanotechnology，7巻，(頁 808 ～ 812)，2009年03月

    

17. LO phonon-plasmon coupled modesand carrier mobilities in heavily Se-doped Ga(As, N) thin films

    Ibáñez, J., Alarcón-Lladó, E., Cuscó, R., Artús, L., Fowler, D., Patanè, A., Uesugi, K., Suemune, I.，Journalof Materials Science: Materials in Electronics，20巻，1号，(頁 S425-S429 ～ )，2009年01月

    

18. Electron effective mass and mobility in heavily doped n -GaAsN probed by Raman scattering

    Ibáñez, J., Cuscó, R., Alarcón-Lladó, E., Artús, L., Pataǹ, A., Fowler, D., Eaves, L., Uesugi, K., Suemune, I.，Journal of Applied Physics，103巻，10号，(頁 103528 ～ )，2008年10月

    

19. Role of Cooper pairs for the generation of entangled photon pairs from single quantum dots

    Suemune, I., Akazaki, T., Tanaka, K., Jo, M., Uesugi, K., Endo, M., Kumano, H., Hanamura, E.，Microelectronics Journal，39巻，3-4号，(頁 344 ～ 347)，2008年03月

    

20. Carbon nano dots scale by focused ion beam system for MIS diode nano devices

    Rahim, R.A., Kurahashi, H., Uesugi, K., Fukuda, H.，Surface Science，601巻，22号，(頁 5112 ～ 5115)，2007年11月