論文 - 植杉　克弘

61. Low-temperature selective growth of ZnSe and ZnS on (001) GaAs patterned with carbonaceous mask by metalorganic molecular-beam epitaxy

    A. Ueta, A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，37巻，3A号，(頁 L272-L274 ～ )，1998年

    

62. Growth of zincblende MgS/ZnSe superlattices and their heterointerface properties

    I. Suemune, T. Obinata, K. Uesugi, H. Suzuki, H. Kumano, H. Nashiki, J. Nakahara，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，170巻，(頁 480 ～ 484)，1997年

    

63. Excitonic properties of zinc-blende ZnSe/MgS superlattices studied by reflection spectroscopy

    H. Kumano, H. Nashiki, I. Suemune, M. Arita, T. Obinata, H. Suzuki, K. Uesugi, J. Nakahara，PHYSICAL REVIEWB，55巻，7号，(頁 4449 ～ 4455)，1997年

    

64. Atomic force microscope nanolithography on SiO2/semiconductor surfaces

    A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，6B号，(頁 4057 ～ 4060)，1997年

    

65. Self-organized CdSe quantum dots on (100)ZnSe/GaAs surfaces grown by metalorganic molecular beam epitaxy

    M. Arita, A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune, T. Numai, H. Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，6B号，(頁 4097 ～ 4101)，1997年

    

66. Luminescence of excitons localized by monolayer interface fluctuations in ZnSe/MgS superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    H. Nashiki, I. Suemune, H. Suzuki, K. Uesugi，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，6B号，(頁 4199 ～ 4203)，1997年

    

67. ZnSe/ZnS distributed Bragg reflectors in the blue region grown on (311)B GaAs substrates

    T. Tawara, M. Arita, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，11号，(頁 6672 ～ 6676)，1997年

    

68. Stabilityof CdSe and ZnSe dots self-organized on semiconductor surfaces

    I. Suemune, T. Tawara, T. Saitoh, K. Uesugi，APPLIED PHYSICS LETTERS，71巻，26号，(頁 3886 ～ 3888)，1997年

    

69. Bandgap energy of GaNAs alloys grown on (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

    K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，12A号，(頁 L1572-L1575 ～ )，1997年

    

70. Selective growth conditions of ZnSe/ZnS heterostructures on (001) GaAs with metalorganic molecular beam epitaxy

    A. Ueta, I. Suemune, K. Uesugi, M. Arita, A. Avramescu, T. Numai, H Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，8号，(頁 5044 ～ 5049)，1997年

    

71. Low-dimensional II-VI semiconductor structures: ZnSe/MgS superlattices and CdSe self-organized dots

    I. Suemune, K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, M. Arita，PHYSICA STATUS SOLIDI B，202巻，2号，(頁 845 ～ 856)，1997年

    

72. Excitonic luminescence up to room temperature in a ZnSe/MgS superlattice

    H. Nashiki, I. Suemune, H. Kumano, H. Suzuki, T. Obinata, K. Uesugi, J. Nakahara，APPLIED PHYSICS LETTERS，70巻，18号，(頁 2350 ～ 2352)，1997年

    

73. Atomic force microscopy study of ZnSe/GaAs heteroepitaxy processes by metalorganic vapour phase epitaxy

    K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, T. Obinata, I. Suemune, H. Kumano, J. Nakahara，APPLIED SURFACE SCIENCE，113/114巻，(頁 371 ～ 376)，1997年

    

74. Epitaxial growth of zinc-blende ZnSe/MgS superlattices on (001) GaAs

    K. Uesugi, T. Obinata, I. Suemune, H. Kumano, J. Nakahara，APPLIED PHYSICS LETTERS，68巻，6号，(頁 844 ～ 846)，1996年

    

75. Purge effect on heterointerfaces of ZnSe/MgS superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    H. Suzuki, T. Obinata, H. Nashiki, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，35巻，2B号，(頁 L1658-L1661 ～ )，1996年

    

76. Initial growth processes of ZnSe on cleaned GaAs(001) surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy

    K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, T. Obinata, H. Kumano, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，35巻，8A号，(頁 L1006-L1008 ～ )，1996年

    

77. Atomistic study on solid phase epitaxy processes on Si(100) surfaces by the scanning tunneling microscope

    T. Yao, K. Uesugi, T. Komura, M. Yoshimura，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，163巻，(頁 78 ～ 86)，1996年

    

78. STMによるSi(111)へのAlCl3分子の吸着プロセスの観察と反応表面での原子・分子操作

    滝口隆晴，植杉克弘，吉村雅満，八百隆文，表面科学，12巻，2号，(頁 141 ～ 146)，1995年

    

79. Temperature-dependence of ZnS growth with atmospheric-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy using ditertiarybutyl sulfide

    T. Obinata, K. Uesugi, G. Sato, I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，34巻，8A号，(頁 4143 ～ 4147)，1995年

    

80. Reflection high-energy electron-diffraction study of the heterointerface formation of ZnSe/ZnTe

    T. Yao, M. Fujimoto, K. Uesugi, S. Kamiyama, Z. Zhu，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，150巻，(頁 823 ～ 827)，1995年