論文 - 植杉　克弘

41. Highly conductive GaAsNSe alloys grown on GaAs and their nonalloyed ohmic properties

    K. Uesugi, I. Suemune，APPLIED PHYSICS LETTERS，79巻，20号，(頁 3284 ～ 3286)，2001年

    

42. Selective growth of highly packed array of ZnCdS quantum dots with a mask prepared by atomic force microscope nanolithography

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，40巻，3B号，(頁 1899 ～ 1901)，2001年

    

43. New type of ZnCdS/ZnMgCdS heterostructures lattice-matched to GaAs for selective-area growth

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，214/215巻，(頁 125 ～ 129)，2000年

    

44. GaN/W/W-oxide metal base transistor with very large current gain and power gain

    K. Mochizuki, K. Uesugi, PM. Asbeck, J. Gotoh, T. Mishima, K. Hirata, H. Oda，APPLIED PHYSICS LETTERS，77巻，5号，(頁 753 ～ 755)，2000年

    

45. Intrinsic and extrinsic excitonic features in MgS/ZnSe superlattices revealed by microspectroscopy

    H. Kumano, H. Nashiki, I. Suemune, H. Suzuki, K. Uesugi, A.Q. He, N. Otsuka，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，39巻，2A号，(頁 501 ～ 504)，2000年

    

46. Temperature dependence of band gap energies of GaAsN alloys

    K. Uesugi, I. Suemune, T. Hasegawa, T. Akutagawa, T. Nakamura，APPLIED PHYSICS LETTERS，76巻，10号，(頁 1285 ～ 1287)，2000年

    

47. Atomic force microscope based patterning of carbonaceous masks for selective area growth on semiconductor surfaces

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，88巻，6号，(頁 3158 ～ 3165)，2000年

    

48. Formation of wire-like surfaces and lateral composition modulation in GaAsN grown by metalorganicmolecular-beam epitaxy

    I. Suemune, N. Morooka, K. Uesugi, Y.W. Ok, T.Y. Seong，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，221巻，(頁 546 ～ 550)，2000年

    

49. Role of nitrogen in the reduced temperature dependence of band-gap energy in GaNAs

    I. Suemune, K. Uesugi, W. Walukiewicz，APPLIED PHYSICS LETTERS，77巻，19号，(頁 3021 ～ 3023)，2000年

    

50. Reexamination of N composition dependence of coherently grown GaNAs band gap energy with high-resolution x-ray diffraction mapping measurements

    K. Uesugi, N. Morooka, I. Suemune，APPLIED PHYSICS LETTERS，74巻，9号，(頁 1254 ～ 1256)，1999年

    

51. Nucleation issue in the nanoscale selective area growth of II-VI semiconductors

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，COMPOUND SEMICONDUCTORS，162巻，0号，(頁 699 ～ 704)，1999年

    

52. Role of indium on nitrogen incorporation in GaNAs grown by metalorganic molecular-beam epitaxy, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

    N. Morooka, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESEJOURNAL OF APPLIED PHYSICS，38巻，11B号，(頁 L1309-L1311 ～ )，1999年

    

53. Nucleation in the nanometer scale selective area growth of II-VI semiconductors

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，38巻，5B号，(頁 L563-L566 ～ )，1999年

    

54. Strain effect on the N composition dependence of GaNAs bandgap energy grown on (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

    K. Uesugi, N. Morooka, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，201/202巻，(頁 355 ～ 358)，1999年

    

55. Semiconductor photonic dots: Visible wavelength-sized optical resonators

    I. Suemune, A. Ueta, A. Avramescu, S. Tanaka, H. Kumano, K. Uesugi，APPLIED PHYSICS LETTERS，74巻，14号，(頁 1963 ～ 1965)，1999年

    

56. MOVPE growth of ZnSe/ZnS distributed Bragg reflectors on GaAs(100) and (311)B substrates

    T. Tawara, M. Arita, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，184/185巻，(頁 777 ～ 782)，1998年

    

57. Atomic force microscope lithography on carbonaceous films deposited by electron-beam irradiation

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，APPLIED PHYSICS LETTERS，72巻，6号，(頁 716 ～ 718)，1998年

    

58. p-type conductivity control of ZnSe with insertion of ZnTe : Li submonolayers in metalorganic molecular-beam epitaxy

    J. Hirose, K. Uesugi, M. Hoshiyama, T. Numai,I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，84巻，11号，(頁 6100 ～ 6104)，1998年

    

59. Metalorganic molecular beam epitaxy of GaNAs alloys on (001)GaAs

    K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，189/190巻，(頁 490 ～ 495)，1998年

    

60. Band gap energy of GaNAs grown on GaAs(001) substrates by metalorganic molecular-beamepitaxy

    K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，188巻，(頁 103 ～ 106)，1998年