論文 - 植杉　克弘

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  1. Annealing Dependence on Structural and Electrical Characteristic of n-ZnO/p-CuGaO2 Transparent Heterojunction Diode

    Muhammad Hafiz Abu Bakar, Lam Mui Li, Khairul Anuar Mohamad, Fouziah Md Yassin, Chee Fuei Pien, Afishah Alias, Katsuhiro Uesugi，Advanced Science Letters，23巻，11号，(頁 11564 ～ 11566)，2017年11月

  2. Metal-organic molecular beam epitaxy of GaAsNSe films using Ga droplets on GaP(001)

    Yuki Shimomura, Yosuke Igarashi, Shinji Kimura, Yuhei Suzuki, Yoshihiro Tada, Hisashi Fukuda, and Katsuhiro Uesugi，Japanese Journal of Applied Physics，55巻，8S1号，2016年08月

  3. 液相中への縦波放射を利用したレイリー型表面弾性波センサーの開発

    小川　健吾，鳥越　俊彦，澤田　研，岩佐　達郎，永野 宏治，柴山　義行，夛田　芳広，植杉　克弘，福田　永，電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌），135巻，12号，(頁 490 ～ 495)，2015年12月

  4. 縦波表面弾性波を用いた液相系センサーの動作特性

    小川健吾、山田真也、鳥越俊彦、澤田　研、岩佐達郎、杉山史一、夛田芳広、植杉克弘、福田　永，表面科学，35巻，6号，(頁 319 ～ 323)，2014年06月

  5. Mixed P3HT/PCBM Organic Thin-Film Transistors: Relation between Morphology and Electrical Characteristics

    Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Kumar Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda，J. Chem. Chem. Eng.，8巻，(頁 476 ～ 323)，2014年05月

  6. Organic field-effect transistors with reversible threshold voltage shifts for memory element

    Mohamad, K.A., Alias, A., Saad, I., Uesugi, K., Fukuda, H.，International Journal of Simulation-Systems, Science and Technology，13巻，3C号，(頁 42 ～ 47)，2012年06月

  7. Temperature dependence of CuGaO 2 films fabricated by sol-gel method

    Alias, A., Sakamoto, M., Kimura, T., Uesugi, K.，Japanese Journal of Applied Physics，51巻，3 PART 1号，(頁 035503 ～ )，2012年03月

  8. Characterization of CuGaO 2 films prepared by sol-gel methods

    Alias, A., Sakamoto, M., Kimura, T., Uesugi, K.，Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics，9巻，2号，(頁 198 ～ 201)，2012年02月

  9. N-Channel organic thin-film transistors based on naphthalene- bis(dicarboximide) polymer for organic transistor memory using hole-acceptor layer

    Mohamad, K.A., Yousuke, K., Uesugi, K., Fukuda, H.，Japanese Journal of Applied Physics，50巻，9 PART 1号，(頁 091603 ～ )，2011年09月

  10. Bias-induced threshold voltage shifts in organic thin-film transistors by soluble fullerene layers on gate dielectric

    Mohamad, K.A., Uesugi, K., Fukuda, H.，Japanese Journal of Applied Physics，50巻，1 PART 3号，(頁 01BC04 ～ )，2011年01月

  11. Fabrication of zno thin-film transistors by chemical vapor deposition method

    Alias, A., Hazawa, K., Kawashima, N., Fukuda, H., Uesugi, K.，Japanese Journal of Applied Physics，50巻，1 PART 3号，(頁 01BG05 ～ )，2011年01月

  12. Poly(3-hexylthiophene)/fullerene organic thin-film transistors: Investigation of photoresponse and memory effects

    Mohamad, K.A., Goto, K., Uesugi, K., Fukuda, H.，Japanese Journal of Applied Physics，49巻，6 PART 2号，(頁 06GG091-06GG094 ～ )，2010年06月

  13. Molecular orientation of poly(3-hexylthiophene)/fullerene composite thin films

    Mohamad, K.A., Komatsu, N., Uesugi, K., Fukuda, H.，Japanese Journal of Applied Physics，49巻，4 PART2号，(頁 04DK25 ～ )，2010年04月

  14. Organic thin-film transistor memory with nanocrystal carbon dots

    Tada, Y., Mohamad, K.A., Uesugi, K., Fukuda, H.，e-Journal of Surface Science and Nanotechnology，8巻，(頁 250 ～ 253)，2010年03月

  15. Carbon nanocrystal-based organic thin-film transistors for nonvolatile memory nanodevices

    Mohamad, K.A., Tada, Y., Miura, T., Uesugi, K., Fukuda, H.，e-Journal of Surface Science and Nanotechnology，7巻，(頁 665 ～ 668)，2009年03月

  16. Bias stress and memory effect in pentacene-based organic thin-film transistors with a fullerene layer

    Mohamad, K.A., Yamada, S., Uesugi, K., Fukuda, H.，e-Journal of Surface Science and Nanotechnology，7巻，(頁 808 ～ 812)，2009年03月

  17. LO phonon-plasmon coupled modesand carrier mobilities in heavily Se-doped Ga(As, N) thin films

    Ibáñez, J., Alarcón-Lladó, E., Cuscó, R., Artús, L., Fowler, D., Patanè, A., Uesugi, K., Suemune, I.，Journalof Materials Science: Materials in Electronics，20巻，1号，(頁 S425-S429 ～ )，2009年01月

  18. Electron effective mass and mobility in heavily doped n -GaAsN probed by Raman scattering

    Ibáñez, J., Cuscó, R., Alarcón-Lladó, E., Artús, L., Pataǹ, A., Fowler, D., Eaves, L., Uesugi, K., Suemune, I.，Journal of Applied Physics，103巻，10号，(頁 103528 ～ )，2008年10月

  19. Role of Cooper pairs for the generation of entangled photon pairs from single quantum dots

    Suemune, I., Akazaki, T., Tanaka, K., Jo, M., Uesugi, K., Endo, M., Kumano, H., Hanamura, E.，Microelectronics Journal，39巻，3-4号，(頁 344 ～ 347)，2008年03月

  20. Carbon nano dots scale by focused ion beam system for MIS diode nano devices

    Rahim, R.A., Kurahashi, H., Uesugi, K., Fukuda, H.，Surface Science，601巻，22号，(頁 5112 ～ 5115)，2007年11月

  21. Poly-3-hexylthiophene Thin Film Formation and Application to Organic Thin Film Transistor

    FUKUDA HISASHI, KOJIMA TAKASHI, UESUGI KATSUHIRO，IEIC Technical Report，106巻，132号，(頁 39 ～ 44)，2006年06月

  22. Role of nitrogen precursor supplies on InAs quantum dot surfaces in their emission wavelengths

    Suemune, I., Sasikala, G., Kumano, H., Uesugi, K., Nabetani, Y., Matsumoto, T., Maeng, J.-T., Seong, T.Y.，Japanese Journal of Applied Physics，45巻，20-23号，(頁 L529-32 ～ )，2006年06月

  23. The application of an InGaAs/GaAsN strain-compensated superlattice to InAs quantum dots

    Wei Zhang, Uesugi, K., Suemune, I.，Journal of Applied Physics，99巻，10号，(頁 103103-1-7 ～ )，2006年05月

  24. Superconductor-based quantum-dot light-emittingdiodes: role of cooper pairs in generating entangled photon pairs

    Suemune, I, Akazaki,T., Tanaka, K., Jo, M., Uesugi, K., Endo, M., Kumano, H., Hanamura, E., Takayanagi, H., Yamanishi, M., Kan, H.，Japanese Journal of Applied Physics，45巻，12号，(頁 9264 ～ 9271)，2006年04月

  25. Improved structural and luminescence homogeneities of InAs quantum dots with nitrogen-precursor supplies on their surfaces

    G. Sasikala, I. Suemune, P. Thilakan, H. Kumano, K. Uesugi, N. Shimoyama and H. Machida，Jpn. J. Appl. Phys. Lett.，44巻，50号，(頁 L1512-L1515 ～ )，2005年12月

  26. Formation of ohmic contacts to p-type ZnO

    M. Kurimoto, ABMA. Ashrafi, M. Ebihara, K. Uesugi, H. Kumano, I. Suemune，PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH，241巻，3号，(頁 635 ～ 639)，2004年03月

  27. Observation of clear negative diffraction resistance characteristics in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs multiple quantum wells at room temperature

    K. Uesugi, M. Kurimoto, I. Suemune, M. Yamamoto, T. Uemura, H. Machida, N. Shimoyama，Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures，21巻，2-4号，(頁 727 ～ 731)，2004年03月

  28. Observation of reflection high-energy electron diffraction oscillation during MOMBE growth of AlAs and related modulated semiconductor structures

    S. Ganapathy, P. Thilakan, M. Kurimoto, K. Uesugi, I. Suemune, N. Shimoyama，Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures，21巻，2-4号，(頁 756 ～ 760)，2004年03月

  29. Improvement of InAs quantum-dot optical properties by strain compensation with GaNAs capping layers

    XQ. Zhang, S. Ganapathy, I. Suemune, H. Kumano, K. Uesugi, Y. Nabetani, T. Matsumoto，APPLIED PHYSICS LETTERS，83巻，22号，(頁 4524 ～ 4526)，2003年12月

  30. 1.55µm emission from GaInNAs with indium-induced increase of N concentration

    W. Zhou, K. Uesugi, I. Suemune，APPLIED PHYSICS LETTERS，83巻，10号，(頁 1992 ～ 1994)，2003年10月

  31. GaNAs as strain compensating layer for 1.55 µm light emission from InAs quantum dots

    S. Ganapathy, XQ. Zhang, I. Suemune, K. Uesugi, H. Kumano, BJ. Kim, TY. Seong,，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，42巻，9A号，(頁 5597 ～ 5601)，2003年09月

  32. Observation of reflection high-energy electron diffraction oscillation during metalorganic-molecular-beam epitaxy of AlAs and control of carbon incorporation

    S. Ganapathy, M. Kurimoto, P. Thilakan, K. Uesugi, I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，JOURNAL OFAPPLIED PHYSICS，94巻，8号，(頁 4871 ～ 4875)，2003年08月

  33. Metalorganic molecular-beam epitaxy and characterization of GaAsNSe/GaAs superlattices emitting around 1.5-µm-wavelength region

    K. Uesugi, I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，APPLIED PHYSICS LETTERS，82巻，6号，(頁 898 ～ 900)，2003年

  34. Photoluminescence study of InAs quantum dots embedded in GaNAs strain compensating layer grown by metalorganic-molecular-beam epitaxy

    XQ. Zhang, S. Ganapathy, H. Kumano, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，92巻，11号，(頁 6813 ～ 6818)，2002年11月

  35. Growth and structural characterization of III-N-V semiconductor alloys

    I. Suemune, K. Uesugi, TY. Seong，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，17巻，8号，(頁 755 ～ 761)，2002年08月

  36. Growth activation of ZnO layers with H2O vapor on a-face of sapphire substrate by metalorganic molecular-beam epitaxy

    ABMA. Ashrafi, I. Suemune, H. Kumano, K. Uesugi，PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH，192巻，1号，(頁 224 ～ 229)，2002年01月

  37. Metalorganic molecular-beam epitaxial growth and optical properties of Er-doped GaNP

    I. Suemune, T. Shimozawa, K. Uesugi, H. Kumano, H. Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，41巻，2B号，(頁 1030 ～ 1033)，2002年

  38. Erbium-doped GaP grown by MOMBE and their optical properties

    I. Suemune, K. Uesugi, T. Shimozawa, H. Kumano, H. Machida, N. Shimoyama，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，237巻，(頁 1423 ～ 1427)，2002年

  39. Structural properties of GaAsN grown on (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

    Y.W. Ok, C.J. Choi, T.Y. Seong, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS，30巻，7号，(頁 900 ～ 906)，2001年

  40. Microstructures of GaAsN grownon (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

    YW.Ok, TY. Seong, K. Uesugi, I. Suemune，MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2001，169巻，(頁 197 ～ 200)，2001年

  41. Highly conductive GaAsNSe alloys grown on GaAs and their nonalloyed ohmic properties

    K. Uesugi, I. Suemune，APPLIED PHYSICS LETTERS，79巻，20号，(頁 3284 ～ 3286)，2001年

  42. Selective growth of highly packed array of ZnCdS quantum dots with a mask prepared by atomic force microscope nanolithography

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，40巻，3B号，(頁 1899 ～ 1901)，2001年

  43. New type of ZnCdS/ZnMgCdS heterostructures lattice-matched to GaAs for selective-area growth

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，214/215巻，(頁 125 ～ 129)，2000年

  44. GaN/W/W-oxide metal base transistor with very large current gain and power gain

    K. Mochizuki, K. Uesugi, PM. Asbeck, J. Gotoh, T. Mishima, K. Hirata, H. Oda，APPLIED PHYSICS LETTERS，77巻，5号，(頁 753 ～ 755)，2000年

  45. Intrinsic and extrinsic excitonic features in MgS/ZnSe superlattices revealed by microspectroscopy

    H. Kumano, H. Nashiki, I. Suemune, H. Suzuki, K. Uesugi, A.Q. He, N. Otsuka，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，39巻，2A号，(頁 501 ～ 504)，2000年

  46. Temperature dependence of band gap energies of GaAsN alloys

    K. Uesugi, I. Suemune, T. Hasegawa, T. Akutagawa, T. Nakamura，APPLIED PHYSICS LETTERS，76巻，10号，(頁 1285 ～ 1287)，2000年

  47. Atomic force microscope based patterning of carbonaceous masks for selective area growth on semiconductor surfaces

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，88巻，6号，(頁 3158 ～ 3165)，2000年

  48. Formation of wire-like surfaces and lateral composition modulation in GaAsN grown by metalorganicmolecular-beam epitaxy

    I. Suemune, N. Morooka, K. Uesugi, Y.W. Ok, T.Y. Seong，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，221巻，(頁 546 ～ 550)，2000年

  49. Role of nitrogen in the reduced temperature dependence of band-gap energy in GaNAs

    I. Suemune, K. Uesugi, W. Walukiewicz，APPLIED PHYSICS LETTERS，77巻，19号，(頁 3021 ～ 3023)，2000年

  50. Reexamination of N composition dependence of coherently grown GaNAs band gap energy with high-resolution x-ray diffraction mapping measurements

    K. Uesugi, N. Morooka, I. Suemune，APPLIED PHYSICS LETTERS，74巻，9号，(頁 1254 ～ 1256)，1999年

  51. Nucleation issue in the nanoscale selective area growth of II-VI semiconductors

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，COMPOUND SEMICONDUCTORS，162巻，0号，(頁 699 ～ 704)，1999年

  52. Role of indium on nitrogen incorporation in GaNAs grown by metalorganic molecular-beam epitaxy, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

    N. Morooka, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESEJOURNAL OF APPLIED PHYSICS，38巻，11B号，(頁 L1309-L1311 ～ )，1999年

  53. Nucleation in the nanometer scale selective area growth of II-VI semiconductors

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，38巻，5B号，(頁 L563-L566 ～ )，1999年

  54. Strain effect on the N composition dependence of GaNAs bandgap energy grown on (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

    K. Uesugi, N. Morooka, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，201/202巻，(頁 355 ～ 358)，1999年

  55. Semiconductor photonic dots: Visible wavelength-sized optical resonators

    I. Suemune, A. Ueta, A. Avramescu, S. Tanaka, H. Kumano, K. Uesugi，APPLIED PHYSICS LETTERS，74巻，14号，(頁 1963 ～ 1965)，1999年

  56. MOVPE growth of ZnSe/ZnS distributed Bragg reflectors on GaAs(100) and (311)B substrates

    T. Tawara, M. Arita, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，184/185巻，(頁 777 ～ 782)，1998年

  57. Atomic force microscope lithography on carbonaceous films deposited by electron-beam irradiation

    A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I. Suemune，APPLIED PHYSICS LETTERS，72巻，6号，(頁 716 ～ 718)，1998年

  58. p-type conductivity control of ZnSe with insertion of ZnTe : Li submonolayers in metalorganic molecular-beam epitaxy

    J. Hirose, K. Uesugi, M. Hoshiyama, T. Numai,I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，84巻，11号，(頁 6100 ～ 6104)，1998年

  59. Metalorganic molecular beam epitaxy of GaNAs alloys on (001)GaAs

    K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，189/190巻，(頁 490 ～ 495)，1998年

  60. Band gap energy of GaNAs grown on GaAs(001) substrates by metalorganic molecular-beamepitaxy

    K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，188巻，(頁 103 ～ 106)，1998年

  61. Low-temperature selective growth of ZnSe and ZnS on (001) GaAs patterned with carbonaceous mask by metalorganic molecular-beam epitaxy

    A. Ueta, A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，37巻，3A号，(頁 L272-L274 ～ )，1998年

  62. Growth of zincblende MgS/ZnSe superlattices and their heterointerface properties

    I. Suemune, T. Obinata, K. Uesugi, H. Suzuki, H. Kumano, H. Nashiki, J. Nakahara，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，170巻，(頁 480 ～ 484)，1997年

  63. Excitonic properties of zinc-blende ZnSe/MgS superlattices studied by reflection spectroscopy

    H. Kumano, H. Nashiki, I. Suemune, M. Arita, T. Obinata, H. Suzuki, K. Uesugi, J. Nakahara，PHYSICAL REVIEWB，55巻，7号，(頁 4449 ～ 4455)，1997年

  64. Atomic force microscope nanolithography on SiO2/semiconductor surfaces

    A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，6B号，(頁 4057 ～ 4060)，1997年

  65. Self-organized CdSe quantum dots on (100)ZnSe/GaAs surfaces grown by metalorganic molecular beam epitaxy

    M. Arita, A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune, T. Numai, H. Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，6B号，(頁 4097 ～ 4101)，1997年

  66. Luminescence of excitons localized by monolayer interface fluctuations in ZnSe/MgS superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    H. Nashiki, I. Suemune, H. Suzuki, K. Uesugi，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，6B号，(頁 4199 ～ 4203)，1997年

  67. ZnSe/ZnS distributed Bragg reflectors in the blue region grown on (311)B GaAs substrates

    T. Tawara, M. Arita, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，11号，(頁 6672 ～ 6676)，1997年

  68. Stabilityof CdSe and ZnSe dots self-organized on semiconductor surfaces

    I. Suemune, T. Tawara, T. Saitoh, K. Uesugi，APPLIED PHYSICS LETTERS，71巻，26号，(頁 3886 ～ 3888)，1997年

  69. Bandgap energy of GaNAs alloys grown on (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

    K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，12A号，(頁 L1572-L1575 ～ )，1997年

  70. Selective growth conditions of ZnSe/ZnS heterostructures on (001) GaAs with metalorganic molecular beam epitaxy

    A. Ueta, I. Suemune, K. Uesugi, M. Arita, A. Avramescu, T. Numai, H Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，36巻，8号，(頁 5044 ～ 5049)，1997年

  71. Low-dimensional II-VI semiconductor structures: ZnSe/MgS superlattices and CdSe self-organized dots

    I. Suemune, K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, M. Arita，PHYSICA STATUS SOLIDI B，202巻，2号，(頁 845 ～ 856)，1997年

  72. Excitonic luminescence up to room temperature in a ZnSe/MgS superlattice

    H. Nashiki, I. Suemune, H. Kumano, H. Suzuki, T. Obinata, K. Uesugi, J. Nakahara，APPLIED PHYSICS LETTERS，70巻，18号，(頁 2350 ～ 2352)，1997年

  73. Atomic force microscopy study of ZnSe/GaAs heteroepitaxy processes by metalorganic vapour phase epitaxy

    K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, T. Obinata, I. Suemune, H. Kumano, J. Nakahara，APPLIED SURFACE SCIENCE，113/114巻，(頁 371 ～ 376)，1997年

  74. Epitaxial growth of zinc-blende ZnSe/MgS superlattices on (001) GaAs

    K. Uesugi, T. Obinata, I. Suemune, H. Kumano, J. Nakahara，APPLIED PHYSICS LETTERS，68巻，6号，(頁 844 ～ 846)，1996年

  75. Purge effect on heterointerfaces of ZnSe/MgS superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    H. Suzuki, T. Obinata, H. Nashiki, K. Uesugi, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，35巻，2B号，(頁 L1658-L1661 ～ )，1996年

  76. Initial growth processes of ZnSe on cleaned GaAs(001) surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy

    K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, T. Obinata, H. Kumano, I. Suemune，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，35巻，8A号，(頁 L1006-L1008 ～ )，1996年

  77. Atomistic study on solid phase epitaxy processes on Si(100) surfaces by the scanning tunneling microscope

    T. Yao, K. Uesugi, T. Komura, M. Yoshimura，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，163巻，(頁 78 ～ 86)，1996年

  78. STMによるSi(111)へのAlCl3分子の吸着プロセスの観察と反応表面での原子・分子操作

    滝口隆晴，植杉克弘，吉村雅満，八百隆文，表面科学，12巻，2号，(頁 141 ～ 146)，1995年

  79. Temperature-dependence of ZnS growth with atmospheric-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy using ditertiarybutyl sulfide

    T. Obinata, K. Uesugi, G. Sato, I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，34巻，8A号，(頁 4143 ～ 4147)，1995年

  80. Reflection high-energy electron-diffraction study of the heterointerface formation of ZnSe/ZnTe

    T. Yao, M. Fujimoto, K. Uesugi, S. Kamiyama, Z. Zhu，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，150巻，(頁 823 ～ 827)，1995年

  81. Solid-phase epitaxy processes of amorphized silicon surfaces by Ar-ion bombardment observed in-situ with ultra-high-vacuum tunneling microscopy operated at high-temperature

    T. Yao, K. Uesugi, M. Yoshimura, T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuki，APPLIED SURFACE SCIENCE，75巻，(頁 139 ～ 143)，1994年

  82. Scanning-tunneling-microscopy study of solid-phase epitaxy processes of amorphous-silicon layers on silicon substrates

    K. Uesugi, T. Komura, M. Yoshimura, T. Yao，APPLIED SURFACE SCIENCE，82/83巻，(頁 367 ～ 373)，1994年

  83. Scanning-tunneling-microscopy study of the reaction of AlCl3 with the Si(111) surface

    K. Uesugi, T. Takiguchi, M. Yoshimura, T. Yao，JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOLOGY B，12巻，3号，(頁 2008 ～ 2011)，1994年

  84. Scanning-tunneling-microscopy study of solid-phase epitaxy processes of argon ion-bombarded silicon surface and recovery of crystallinity by annealing

    K. Uesugi, M. Yoshimura, T. Yao, T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuki，JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOLOGY B，12巻，3号，(頁 2008 ～ 2011)，1994年

  85. Scanning-tunneling-microscopy observation of Ar-ion-bombarded SI(001) surfaces and regrowth processes by thermal annealing

    K. Uesugi, M. Yoshimura, T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuki, T. Yao，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，32巻，12B号，(頁 6203 ～ 6205)，1993年

  86. Observation of solid-phase epitaxy processes of Ar ion bombarded Si(001) surfaces by scanning tunneling microscopy

    K. Uesugi, T. Yao, T. Sato, T. Sueyoshi, M. Iwatsuki，APPLIED PHYSICS LETTERS，64巻，14号，(頁 1600 ～ 1602)，1993年

  87. Adsorption and desorption of AlCl3 on Si(111)7X7 observed by scanning-tunneling-microscopy and atomic-force microscopy

    K. Uesugi, T. Takiguchi, M. Izawa, M. Yoshimura, T. Yao，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，32巻，12B号，(頁 6200 ～ 6202)，1993年

  88. Characterization of HF-treated SI(111) surfaces

    T. Konishi, K. Uesugi, K. Takaoka, S. Kawano, M. Yoshimura, T. Yao，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，32巻，7号，(頁 3131 ～ 3134)，1993年

  89. Nanometer-scale deposition of Ga on HF-treated Si(111) surfaces through the decomposition of triethylgallium by scanning-tunneling-microscopy

    K. Uesugi, K. Sakata, S. Kawano, M. Yoshimura, T. Yao，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，32巻，6A号，(頁 2481 ～ 2817)，1993年

  90. Nanometer-scale fabrication on graphite surfaces by scanning tunneling microscopy

    K. Uesugi and T. Yao，Ultramicroscopy，42-44巻，(頁 1443 ～ 1445)，1992年

  91. STMによるシリコン表面の構造評価

    植杉克弘，高岡克也，八百隆文，電気学会電子情報システム部門誌C分冊，112巻，11号，(頁 671 ～ 678)，1992年

  92. Molecular beam epitaxy/atomic layer epitaxy growth processes of wide-band-gap II-VI compounds: Characterization of surface stoichiometry by reflection high-energy electron diffraction

    T. Yao, Z. Zhu, K. Uesugi, S. Kamiyama and M. Fujimoto，J. Vac. Sci. Technol. A，8巻，2号，(頁 997 ～ 1001)，1990年

  93. Surface processes in ALE and MBE growth of ZnSe: Adsorption and sublimation processes

    Z. Zhu, M. Hagino, K. Uesugi, S. Kamiyama, M. Fujimoto and T. Yao，J. Crystal Growth，99巻，(頁 441 ～ 445)，1990年

  94. Surface processes in ALE and MBE growth of ZnSe: Correlation of RHEED intensity variation with surface coverage

    Z. Zhu, M. Hagino, K. Uesugi, S. Kamiyama, M. Fujimoto and T. Yao，Jpn. J. Appl. Phys，28巻，9号，(頁 1659 ～ 1663)，1989年

  95. RHEEDによるZnTeのALE成長過程の観察

    神山さとみ，植杉克弘，藤本雅己，朱自強，八百隆文，表面科学，10巻，5号，(頁 358 ～ 363)，1989年

  96. ZnカルコゲナイドのRHEED振動における表面ストイキオメトリーの効果

    藤本雅己，植杉克弘，神山さとみ，朱自強，八百隆文，表面科学，10巻，5号，(頁 410 ～ 415)，1989年

  97. RHEED振動観察によるZnカルコゲナイドの2次元成長条件

    植杉克弘，神山さとみ，藤本雅己，朱自強，八百隆文，表面科学，10巻，6号，(頁 429 ～ 434)，1989年

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