論文 - 植杉　克弘

21. Poly-3-hexylthiophene Thin Film Formation and Application to Organic Thin Film Transistor

    FUKUDA HISASHI, KOJIMA TAKASHI, UESUGI KATSUHIRO，IEIC Technical Report，106巻，132号，(頁 39 ～ 44)，2006年06月

    

22. Role of nitrogen precursor supplies on InAs quantum dot surfaces in their emission wavelengths

    Suemune, I., Sasikala, G., Kumano, H., Uesugi, K., Nabetani, Y., Matsumoto, T., Maeng, J.-T., Seong, T.Y.，Japanese Journal of Applied Physics，45巻，20-23号，(頁 L529-32 ～ )，2006年06月

    

23. The application of an InGaAs/GaAsN strain-compensated superlattice to InAs quantum dots

    Wei Zhang, Uesugi, K., Suemune, I.，Journal of Applied Physics，99巻，10号，(頁 103103-1-7 ～ )，2006年05月

    

24. Superconductor-based quantum-dot light-emittingdiodes: role of cooper pairs in generating entangled photon pairs

    Suemune, I, Akazaki,T., Tanaka, K., Jo, M., Uesugi, K., Endo, M., Kumano, H., Hanamura, E., Takayanagi, H., Yamanishi, M., Kan, H.，Japanese Journal of Applied Physics，45巻，12号，(頁 9264 ～ 9271)，2006年04月

    

25. Improved structural and luminescence homogeneities of InAs quantum dots with nitrogen-precursor supplies on their surfaces

    G. Sasikala, I. Suemune, P. Thilakan, H. Kumano, K. Uesugi, N. Shimoyama and H. Machida，Jpn. J. Appl. Phys. Lett.，44巻，50号，(頁 L1512-L1515 ～ )，2005年12月

    

26. Formation of ohmic contacts to p-type ZnO

    M. Kurimoto, ABMA. Ashrafi, M. Ebihara, K. Uesugi, H. Kumano, I. Suemune，PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH，241巻，3号，(頁 635 ～ 639)，2004年03月

    

27. Observation of clear negative diffraction resistance characteristics in GaAsNSe/GaAs and GaAsNSb/GaAs multiple quantum wells at room temperature

    K. Uesugi, M. Kurimoto, I. Suemune, M. Yamamoto, T. Uemura, H. Machida, N. Shimoyama，Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures，21巻，2-4号，(頁 727 ～ 731)，2004年03月

    

28. Observation of reflection high-energy electron diffraction oscillation during MOMBE growth of AlAs and related modulated semiconductor structures

    S. Ganapathy, P. Thilakan, M. Kurimoto, K. Uesugi, I. Suemune, N. Shimoyama，Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures，21巻，2-4号，(頁 756 ～ 760)，2004年03月

    

29. Improvement of InAs quantum-dot optical properties by strain compensation with GaNAs capping layers

    XQ. Zhang, S. Ganapathy, I. Suemune, H. Kumano, K. Uesugi, Y. Nabetani, T. Matsumoto，APPLIED PHYSICS LETTERS，83巻，22号，(頁 4524 ～ 4526)，2003年12月

    

30. 1.55µm emission from GaInNAs with indium-induced increase of N concentration

    W. Zhou, K. Uesugi, I. Suemune，APPLIED PHYSICS LETTERS，83巻，10号，(頁 1992 ～ 1994)，2003年10月

    

31. GaNAs as strain compensating layer for 1.55 µm light emission from InAs quantum dots

    S. Ganapathy, XQ. Zhang, I. Suemune, K. Uesugi, H. Kumano, BJ. Kim, TY. Seong,，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，42巻，9A号，(頁 5597 ～ 5601)，2003年09月

    

32. Observation of reflection high-energy electron diffraction oscillation during metalorganic-molecular-beam epitaxy of AlAs and control of carbon incorporation

    S. Ganapathy, M. Kurimoto, P. Thilakan, K. Uesugi, I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，JOURNAL OFAPPLIED PHYSICS，94巻，8号，(頁 4871 ～ 4875)，2003年08月

    

33. Metalorganic molecular-beam epitaxy and characterization of GaAsNSe/GaAs superlattices emitting around 1.5-µm-wavelength region

    K. Uesugi, I. Suemune, H. Machida, N. Shimoyama，APPLIED PHYSICS LETTERS，82巻，6号，(頁 898 ～ 900)，2003年

    

34. Photoluminescence study of InAs quantum dots embedded in GaNAs strain compensating layer grown by metalorganic-molecular-beam epitaxy

    XQ. Zhang, S. Ganapathy, H. Kumano, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，92巻，11号，(頁 6813 ～ 6818)，2002年11月

    

35. Growth and structural characterization of III-N-V semiconductor alloys

    I. Suemune, K. Uesugi, TY. Seong，SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY，17巻，8号，(頁 755 ～ 761)，2002年08月

    

36. Growth activation of ZnO layers with H2O vapor on a-face of sapphire substrate by metalorganic molecular-beam epitaxy

    ABMA. Ashrafi, I. Suemune, H. Kumano, K. Uesugi，PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH，192巻，1号，(頁 224 ～ 229)，2002年01月

    

37. Metalorganic molecular-beam epitaxial growth and optical properties of Er-doped GaNP

    I. Suemune, T. Shimozawa, K. Uesugi, H. Kumano, H. Machida, N. Shimoyama，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，41巻，2B号，(頁 1030 ～ 1033)，2002年

    

38. Erbium-doped GaP grown by MOMBE and their optical properties

    I. Suemune, K. Uesugi, T. Shimozawa, H. Kumano, H. Machida, N. Shimoyama，JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH，237巻，(頁 1423 ～ 1427)，2002年

    

39. Structural properties of GaAsN grown on (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

    Y.W. Ok, C.J. Choi, T.Y. Seong, K. Uesugi, I. Suemune，JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS，30巻，7号，(頁 900 ～ 906)，2001年

    

40. Microstructures of GaAsN grownon (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

    YW.Ok, TY. Seong, K. Uesugi, I. Suemune，MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2001，169巻，(頁 197 ～ 200)，2001年