Presentaion at conference, meeting, etc. - Takeda Keiki

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  1. 金属Crのネール温度の圧力依存性

    野津良司，升田智之，武田圭生，清水克哉，天谷喜一，那須三郎，日本物理学会，日本物理学会，2003.09，岡山

  2. SnドープInSb薄膜の強磁場シュブニコフ・ドハース効果2

    菅健一，金道浩一，武田圭生，石田修一，岡本敦，柴崎一郎，日本物理学会，日本物理学会，2003.09，岡山

  3. InSb/GaAs (100)ヘテロ界面2次元電子系弱反局在効果

    石田修一，武田圭生，岡本敦，柴崎一郎，日本物理学会，日本物理学会，2003.09，岡山

  4. GaAs (100)基板InSb薄膜の2次元弱局在とスピン-軌道相互作用

    石田修一，武田圭生，岡本敦，柴崎一郎，日本物理学会，日本物理学会，2003.09，岡山

  5. Classical in-plane negative magnetoresistance and quantum positive magnetoresistance in undoped InSb thin films on GaAs (100) substrates

    Shuichi Ishida, Keiki Takeda, Atsushi Okamoto, Ichiro Shibasaki，The 11th International Conference on Narrow Gap Semiconductors (NGS-11)，2003.06.16，Buffalo，United States

  6. Weak-field magnetoresistance anomaly and Shubnikov-de Haas oscillations in Sn-doped InSb thin films on GaAs (100)substrates

    Shuichi Ishida, Keiki Takeda, Atsushi Okamoto, Ichiro Shibasaki，The 11th International Conference on Narrow Gap Semiconductors (NGS-11)，2003.06.16，Buffalo，United States

  7. Spin-Orbit Interaction in Weak Localization of InSb Thin Filmson GaAs (100) Substrates

    Shuichi Ishida, Keiki Takeda, Atsushi Okamoto and Ichiro Shibasaki，Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors(PASPS-9)，2003.06.11，Tokyo，Japan

  8. InSb/GaAs(100)薄膜の負磁気抵抗のドーピング・膜厚依存性

    武田圭生，石田修一，岡本敦，柴崎一郎，応用物理学会，応用物理学会，2003.03，神奈川

  9. Ce系圧力誘起超伝導体の低温高圧下粉末X線回折

    武田圭生，安達隆文，小林達生，清水克哉，日高宏之，鷹尾大五郎，西堀英治，高田昌樹，坂田誠，大石泰生，綿貫徹，下村理，大貫惇睦，日本物理学会，日本物理学会，2003.03，仙台

  10. UP2の磁性－

    安達隆文，武田圭生，田中雅士，清水克哉，小林達生，青木大，P. Wisniewski，日本物理学会，日本物理学会，2003.03，仙台

  11. 固体表面上のビス（1，2-ベンゾキノンジオキシマト）白金(II)分子の凝集構造と電子構造

    野口麻衣，栖原正典，尾崎弘行，遠藤理，武田圭生，日本物理学会，日本物理学会，2003.03，仙台

  12. SnドープInSb薄膜の強磁場シュブニコフ・ドハース効果

    菅健一，金道浩一，武田圭生，石田修一，岡本敦，柴崎一郎，日本物理学会，日本物理学会，2003.03，仙台

  13. Superconductivity under high pressure

    K. Amaya, K. Shimizu, K. Takeda, N, Tateiwa，The 23rd International Conference on Low Temperature Physics (LT23)，2002.08.20，Hiroshima，Japan

  14. Low-temperature transport properties of InSb films on GaAs(100)substrates

    S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, I.Shibasaki，The 23rd International Conference on Low Temperature Physics (LT23)，2002.08.20，Hiroshima，Japan

  15. Weak anti-localization in the accumulation layer of InSb/GaAs (100) hetero interface

    S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki，Localisation2002，2002.08.16，Tokyo，Japan

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