Presentaion at conference, meeting, etc. - Takeda Keiki
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高圧下における錯体分子間の接近に基づく物性異常と固相反応
城谷一民、武田圭生、林純一、薬師久弥,分子構造総合討論会,日本化学会,2006.09,静岡
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bis(1,2-benzoquinonedioximato)Pt(II)極薄膜の電子構造と凝集構造
赤池幸紀、栖原正典、髙城麻衣、南和宏、尾﨑弘行、遠藤理、武田圭生、城谷一民,分子構造総合討論会,日本化学会,2006.09,静岡
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NaCl型構造を持つLaBiの圧力誘起相転移
林純一,外山崇道,星延幸,武田圭生,城谷一民,日本物理学会,日本物理学会,2006.09,千葉
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充填スクッテルダイト化合物CeRu4As12の電子物性
関根ちひろ,星延幸,武田圭生,城谷一民,松平和之,分島亮,日夏幸雄,日本物理学会,日本物理学会,2006.09,千葉
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新規充填スクッテルダイト化合物RFe4As12(R
並木孝洋,吉田知生,星延幸,武田圭生,関根ちひろ,城谷一民,日本物理学会,日本物理学会,2006.09,千葉
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重希土類を含むスクッテルダイト化合物LnFe4P12(Ln=Tb,Ho)の高圧合成とX線回折
武田圭生,林純一,加地孝男,木方邦宏,関根ちひろ,城谷一民,大石泰生,八木健彦,日本物理学会,日本物理学会,2006.09,千葉
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重希土類充填スクッテルダイト化合物(Gd,Tb)Fe4P12 の 31P-NMR
真岸孝一,菅原仁,斉藤隆仁,小山晋之,関根ちひろ,武田圭生,城谷一民,日本物理学会,日本物理学会,2006.09,千葉
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Penning ionization electron and ultraviolet photoelectron spectroscopy of ultrathin bis(l,2-benzoquinonedioximato)platinum(II) films
Hiroyuki Ozaki,Masanori Suhara, Mai Taki, Kouki Akaike, Osamu Endo, Keiki Takeda and Ichimin Shirotani,10th International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure(ICESS10),2006.08.28,Foz do Iguaç,Brazil
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Persistent Photoconductivity Effect on Weak Localization in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Wells
S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, and I. Shibasaki,The International Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices 2006(ICSNN2006),2006.07.30,Istanbul,Turkey
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Negative Persistent Photoconductivity Effect on Weak Anti-Localization in Hetero-Interface of InSb/GaAs(100)
A. Fujimoto, S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto and I. Shibasaki,28th International Conference on the Physics of Semiconductoros(ICPS-28),2006.07.24,Vienna,Austria
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Study of Spin-Orbit Interaction in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Well by Means of Persistent Photoconductivity Effect on Weak Localization
S. Ishida, A. Fujimoto, K. Oto, K. Takeda and I. Shibasaki,28th International Conference on the Physics of Semiconductoros(ICPS-28),2006.07.24,Vienna,Austria
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一次元金属錯体M(dmg)2薄膜の電子スペクトル
武田圭生・竹越輝・城谷一民・福田永,日本物理学会,日本物理学会,2006.03,松山市
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AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果
石田修一・藤元章・音賢一・田宮慎太郎・武田圭生・岡本敦・柴崎一郎,日本物理学会,日本物理学会,2006.03,松山市
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高圧下におけるLnFe4X12(Ln = Yb,Ce
城谷一民・林純一・武田圭生・中田隆介・関根ちひろ,日本物理学会,日本物理学会,2006.03,松山市
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CeNiGe3とCeNi2Ge2の圧力効果
三好朋之・武田圭生・福島賢・日高宏之・小手川恒・小林達生・中島美帆・A. Thamizhavel・摂待力生・大貫惇睦・川崎慎司・北岡良雄・福原忠・前澤邦彦,日本物理学会,日本物理学会,2006.03,松山市
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新充填スクッテルダイト化合物RRh4As12の高圧合成と物性
並木孝洋・星延幸・武田圭生・関根ちひろ・城谷一民,日本物理学会,日本物理学会,2006.03,松山市
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Novel Self-assemble Process of Ge Nanoparticles in SiO2 Films
H. Fukuda, K. Takeya, H. Maeda, R. A. Rahim, M. Nishino, M. Yoshino, K. Takeda,the International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4),The Surface Science Society of Japan,Abstract to the International Symposium on Surface Science and Nanotechnology,2005.11.14,Saitama,Japan
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Highly Sensitive MISFET Sensors with Porous Pt-NiO Gatefor Gas Sensing
H. Fukuda, M. Ise, T, Nakaue, T. Nagahori, R. A. Rahim, K. Takeda,the International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4),The Surface Science Society of Japan,Abstract to the International Symposium on Surface Science and Nanotechnology,2005.11.14,Saitama,Japan
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YbFe4P12の高圧合成と電気的、磁気的性質
中田隆介・荒関信人.・林純一・武田圭生・関根ちひろ・城谷一民・八木健彦,高圧討論会,日本高圧力学会,2005.10,室蘭市
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新スクッテルダイト化合物の高圧合成と構造
武田圭生・佐藤慎吾・荒関信人・木方邦宏・関根ちひろ・城谷一民,高圧討論会,日本高圧力学会,2005.10,室蘭市