Personnel Information

写真a

Takeda Keiki


Affiliation centers1, etc

The Center for Rare Earths Research

The master's program in charge

Division of Information and Electronic Engineering

The doctoral program in charge

Division of Engineering

The department in charge

Department of Engineering

Job title

Associate Professor

E-mail Address

E-mail address

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Research field 【 display / non-display 】

  • Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment

  • Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials

  • 高圧物性工学

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Graduate school・Graduate course, etc. 【 display / non-display 】

  • Muroran Institute of Technology

    1996.03，Master's program，Graduate School, Division of Engineering，電気電子工学専攻，Completed，Japan

  • Muroran Institute of Technology

    1999.03，Doctoral program，Graduate School, Division of Engineering，生産情報システム工学専攻，Completed，Japan

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Graduate school・major, etc. 【 display / non-display 】

  • Muroran Institute of Technology

    1994.03，Faculty of Engineering，電気電子工学科，Graduate，Japan

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Degree 【 display / non-display 】

  • Doctor of Engineering

    高圧下における金属－ジオンジオキシマート錯体の構造と電子物性

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Academic Society 【 display / non-display 】

  • 分子科学会

  • 日本物理学会

  • 電気学会

  • 日本高圧力学会

  • 応用物理学会

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Academic prize 【 display / non-display 】

  • 超伝導科学技術賞

    2002.06.22，未踏科学技術協会

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有機金属錯体を利用した電子デバイス材料

圧力を利用して分子間距離を制御する

Purpose of Research

原子・分子間距離を制御して新電子デバイス材料開発

材料の性質を理解するために分子間距離を変えてみたいとき、一部を大きな分子に置換することが行われる。圧力を利用すると調べたい材料を構成する分子のまま距離を制御できる。特に有機物や金属錯体は大きな結晶格子を持つので顕著な圧力効果が期待できる。ピコレベルで分子間距離を制御して光学的性質や電気伝導を調査し、新しい電子デバイス材料の開発に利用する。

Summary of Research

有機物や金属錯体を利用した新しい電子デバイス材料の開発

従来は一次元金属錯体の構成分子を置換して分子間距離を変化させていたが、圧力をかけることで分子間距離を変化させることが可能になった。また、一次元金属錯体は分子同士が近づくと色が多彩に変化し、電気抵抗が急激に減少する。この性質を利用すると、色から圧力が分かる圧力インジケータや電気抵抗から圧力を求める高圧力センサーとして利用できる。

Research Content

Features / Benefits of Research

1.Point of research 2.Research of novelty
  • 分子間距離を近付けたまま光学測定、電気伝導、結晶構造解析が可能
  • 圧力による電子材料の新しい性質の探索
  • 10万気圧を超える高圧力下での物性測定技術
3.Primacy of Technology 4.Situation　of patent-related
  • 構成分子を置換せずに分子間距離を変化させる
  • 分子間距離のピコレベル制御
  • 分子同士を近付けた状態で測定可能
  • ミクロンサイズの微小試料で測定可能
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Books 【 display / non-display 】

  • 室蘭工大 未来をひらく技術と研究

    関根ちひろ、武田圭生他，北海道新聞社，超高圧で夢の材料を作る，(p.230)，2014.07

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Papers 【 display / non-display 】

  • Structural Phase Transition and Possible Valence Instability of Ce-4f Electron Induced by Pressure in CeCoSi

    Kawamura Yukihiro,Ikeda Kakeru,Dalan Alisha Nurshafiqah Binti Amat,Hayashi Junichi,Takeda Keiki,Sekine Chihiro,Matsumura Takeshi,Gouchi Jun,Uwatoko Yoshiya,Tomita Takahiro,Takahashi Hiroki,Tanida Hiroshi，Journal of the Physical Society of Japan，vol.91，(6)，(p.1 ～ 8)，Article Number:064714，2022.05

  • Noncollinear spin structure with weak ferromagnetism in NbMnP

    M. Matsuda, D. Zhang, Y. Kuwata, Q. Zhang, T. Sakurai, H. Ohta, H. Sugawara, K. Takeda, J. Hayashi, and H. Kotegawa，Physical Review B，vol.104，(17)，(p.1 ～ 9)，Article Number:174413，2021.11

  • Crystallographic and superconducting properties of filled skutterudite SrOs4P12

    Y. Kawamura, S. Deminami, K. Takeda, T. Kuzuya, L. Salamakha, H. Michor, E. Bauer, J. Gouchi, Y. Uwatoko, T. Kawae, C. Sekine，Physical Review B，vol.103，(8)，(p.1 ～ 9)，Article Number:085139，2021.02

  • First-order phase transition to a nonmagnetic ground state in nonsymmorphic NbCrP

    Yoshiki Kuwata, Hisashi Kotegawa, Hideki Tou, Hisatomo Harima, Qing-Ping Ding, Keiki Takeda, Junichi Hayashi, Eiichi Matsuoka, Hitoshi Sugawara, Takahiro Sakurai, Hitoshi Ohta, and Yuji Furukawa，Physical Review B，vol.102，(20)，(p.1 ～ 9)，Article Number:205110，2020.10

  • Structural Phase Transition in Antiferromagnet CeCoSi compared to Isostructural LaCoSi and PrCoSi

    Y. Kawamura, H. Tanida, R. Ueda, J. Hayashi, K. Takeda, C. Sekine，Journal of the Physical Society of Japan，vol.89，(5)，(p.1 ～ 6)，Article Number:054702，2020.04

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International conference proceedings 【 display / non-display 】

  • Negative Persistent Photoconductivity Effect on WeakAnti-Localization in Hetero-Interface of InSb/GaAs(100)

    A. Fujimoto, S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, and I. Shibasaki，AIP Conf. Proc.，vol.893，(p.567 ～ 568)，2007

  • Study of Spin-Orbit Interaction in AlxGa1

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Oto, K. Takeda, and I. Shibasaki，AIP Conf. Proc.，vol.893，(p.569 ～ 570)，2007

  • Magneto-Transport Properties in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Wells

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki，The Institute of Physics Conference Series Number 187，(p.585 ～ 590)，2005

  • Spin-Orbit Interactionin InSb Thin Films Grown on GaAs(100) Substrates by MBE: Effect of Hetero-Interface

    S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki，AIP Conf. Proc.，vol.772，(p.1287 ～ 1288)，2005

  • Quantum Transport in the Accumulation Layer at InSb/GaAs(100) Hetero-Interface

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki，The Institute of Physics Conference Series Number 187，(p.67 ～ 72)，2005

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Research reports 【 display / non-display 】

  • CeCoSiの室温高圧下粉末X線回折実験

    上田諒大, 川村幸裕, 谷田博司, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ，Photon Factory Activity Report，2019.08

  • 部分充填スクッテルダイト化合物 LaxRh4Sb12の高圧下における構造安定性

    林純一, 中島良介, 佐藤雄也, 秋元大輔, 梶山誉文, 川村幸裕, 武田圭生, 関根ちひろ，Photon Factory Activity Report 2017，2018

  • アルカリ土類を含む As 系充填スクッテルダイト化合物の体積弾性率

    川村幸裕,, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ，Photon Factory Activity Report 2017，2018

  • Pressure-induced structural change of unfilled skutterudite compound IrSb3

    K. Matsui, J. Hayashi, K. Ito, H. Nakamura, K. Takeda, C. Sekine，Photon Factory Activity Report 2009，vol.28，(p.224 ～ )，2011

  • Pressure-induced irreversible isosymmetric transition of unfilled skutterudite compound CoSb3

    K. Matsui, J. Hayashi, K. Akahira, K. Ito, K. Takeda, C. Sekine，Photon Factory Activity Report 2008，vol.27，(p.196 ～ )，2010

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Presentaion at conference, meeting, etc. 【 display / non-display 】

  • NbMnPにおけるノンコリニア磁気構造とホール効果測定

    小手川恒, 桑田祥希, 藤秀樹, Depeo Zhang, Qiang Zhang, 松田雅昌, 武田圭生, 林純一, 櫻井敬博, 太田仁, 菅原仁，日本物理学会2023年春季大会，日本物理学会，日本物理学会2023年春季大会予稿集，2023.03.22，オンライン開催

  • 高圧力下におけるSnドープCuInS2ナノ粒子の発光と構造

    武田圭生, 清原基生, 林純一, 葛谷俊博, 濱中泰，日本物理学会2023年春季大会，日本物理学会，日本物理学会2023年春季大会予稿集，2023.03.22，オンライン開催

  • CeMnSiの圧力誘起構造転移

    西山紗恵, 中桐大輝, 池田翔, 猪狩航平, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ, 上床美也, Hanming Ma, 冨田崇弘, 高橋博樹, 谷田博司, 川村幸裕，日本物理学会2023年春季大会，日本物理学会，日本物理学会2023年春季大会予稿集，2023.03.22，オンライン開催

  • CsPbI3量子ドット超格子の発光特性

    増田 拓真、濱中 泰、葛谷 俊博、武田 圭生、近藤 政晴、出羽 毅久，第70回応用物理学会春季学術講演会，応用物理学会，第70回応用物理学会春季学術講演会，2023.03.17，上智大学四谷キャンパス

  • CeMnSiの圧力誘起構造転移

    西山 紗恵、中桐 大輝、池田 翔、林 純一、武田 圭生、関根 ちひろ、上床 美也、Ma Hanming、冨田 崇弘、高橋 博樹、谷田 博司、川村 幸裕，2022年度量子ビームサイエンスフェスタ，KEK 物質構造科学研究所、J-PARCセンター、総合科学研究機構（CROSS）、PFユーザーアソシエーション（PF-UA）、J-PARC MLF利用者懇談会，2022年度量子ビームサイエンスフェスタ，2023.03.13，茨城県・つくば国際会議場

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Class subject in charge 【 display / non-display 】

  • 電気回路

    2023，Department

  • 電気電子工学実験A（週２回開講）

    2023，Department

  • 電気回路演習

    2023，Department

  • 電気回路基礎（A～Dクラス）

    2023，Department

  • 電気電子工学実験Ａ（週２回開講）

    2023，Department

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