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Takeda Keiki
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Research field 【 display / non-display 】
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials
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高圧物性科学
Graduate school・Graduate course, etc. 【 display / non-display 】
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Muroran Institute of Technology
1996.03，Master's program，Graduate School, Division of Engineering，電気電子工学専攻，Completed，Japan
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Muroran Institute of Technology
1999.03，Doctoral program，Graduate School, Division of Engineering，生産情報システム工学専攻，Completed，Japan
Graduate school・major, etc. 【 display / non-display 】
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Muroran Institute of Technology
1994.03，Faculty of Engineering，電気電子工学科，Graduate，Japan
Degree 【 display / non-display 】
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Doctor of Engineering
高圧下における金属－ジオンジオキシマート錯体の構造と電子物性
Academic Society 【 display / non-display 】
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日本物理学会
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日本高圧力学会
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応用物理学会
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電気学会
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分子科学会
有機金属錯体を利用した電子デバイス材料
圧力を利用して分子間距離を制御する
Purpose of Research
原子・分子間距離を制御して新電子デバイス材料開発材料の性質を理解するために分子間距離を変えてみたいとき、一部を大きな分子に置換することが行われる。圧力を利用すると調べたい材料を構成する分子のまま距離を制御できる。特に有機物や金属錯体は大きな結晶格子を持つので顕著な圧力効果が期待できる。ピコレベルで分子間距離を制御して光学的性質や電気伝導を調査し、新しい電子デバイス材料の開発に利用する。
Summary of Research
有機物や金属錯体を利用した新しい電子デバイス材料の開発従来は一次元金属錯体の構成分子を置換して分子間距離を変化させていたが、圧力をかけることで分子間距離を変化させることが可能になった。また、一次元金属錯体は分子同士が近づくと色が多彩に変化し、電気抵抗が急激に減少する。この性質を利用すると、色から圧力が分かる圧力インジケータや電気抵抗から圧力を求める高圧力センサーとして利用できる。
Features / Benefits of Research
| 1.Point of research | 2.Research of novelty |
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| 3.Primacy of Technology | 4.Situation of patent-related |
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Books 【 display / non-display 】
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室蘭工大 未来をひらく技術と研究
関根ちひろ、武田圭生他，北海道新聞社，超高圧で夢の材料を作る，(p.230)，2014.07
Papers 【 display / non-display 】
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Large spontaneous Hall effect with flexible domain control in the antiferromagnetic material TaMnP
H. Kotegawa, A. Nakamura, V.T.N. Huyen, Y. Arai, H. Sugawara, J. Hayashi, K. Takeda, C. Tabata, K. Kaneko, K. Kodama, M.-T. Suzuki，Physical Review B，vol.110，(21)，Article Number:214417，2024.12
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Large Anomalous Hall Conductivity Derived from an f -Electron Collinear Antiferromagnetic Structure
H. Kotegawa, H. Tanaka, Y. Takeuchi, H. Tou, H. Sugawara, J. Hayashi, K. Takeda，Physical Review Letters，vol.133，(10)，Article Number:106301，2024.09
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Intrinsic Anomalous Hall Effect Arising from Antiferromagnetism as Revealed by High-Quality NbMnP
Y. Arai, J. Hayashi, K. Takeda, H. Tou, H. Sugawara, H. Kotegawa，Journal of the Physical Society of Japan，vol.93，(6)，Article Number:063702，2024.05
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Large anomalous Hall effect and unusual domain switching in an orthorhombic antiferromagnetic material NbMnP
H. Kotegawa, Y. Kuwata, V. T. N. Huyen, Y. Arai, H. Tou, M. Matsuda, K. Takeda, H. Sugawara and M. Suzuki，npj Quantum Materials，vol.8，(1)，Article Number:56，2023.12
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Photoexcited Carrier Transfer in CuInS2 Nanocrystal Assembly by Suppressing Resonant-Energy Transfer
Y. Hamanaka, S. Okuyama, R. Yokoi, T. K., K. Takeda, C. Sekine，ChemPhysChem，vol.24，(21)，Article Number:e202300029，2023.11
International conference proceedings 【 display / non-display 】
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Structural Analysis of CeCoSi under Pressure
A. Dalan, K. Saito, K. Ikeda, H. Tanida, J. Hayashi, K. Takeda, C. Sekine, and Y. Kawamura，Proceedings of the 29th International Conference on Low Temperature Physics (LT29)，(38)，Article Number:011085，2023.05
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Study of Spin-Orbit Interaction in AlxGa1
S. Ishida, A. Fujimoto, K. Oto, K. Takeda, and I. Shibasaki，AIP Conf. Proc.，vol.893，(p.569 ～ 570)，2007
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Negative Persistent Photoconductivity Effect on WeakAnti-Localization in Hetero-Interface of InSb/GaAs(100)
A. Fujimoto, S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, and I. Shibasaki，AIP Conf. Proc.，vol.893，(p.567 ～ 568)，2007
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Spin-Orbit Interactionin InSb Thin Films Grown on GaAs(100) Substrates by MBE: Effect of Hetero-Interface
S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki，AIP Conf. Proc.，vol.772，(p.1287 ～ 1288)，2005
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Magneto-Transport Properties in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Wells
S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki，The Institute of Physics Conference Series Number 187，(p.585 ～ 590)，2005
Research reports 【 display / non-display 】
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CeCoSi の高圧低温下における結晶構造と電子状態
川村幸裕, 池田翔, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ, 松村武, 上床美也, 冨田崇弘, 高橋博樹, 谷田博司，Photon Factory Activity Report，vol.40，(p.47 ～ )，2023.05
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高圧技術によるカルコパイライトナノ粒子の粒子間隔の精密制御
武田 圭生、林 純一、葛谷 俊博、関根ちひろ，Photon Factory Activity Report，vol.39，(p.158 ～ )，2022.07
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CeCoSiの室温高圧下粉末X線回折実験
上田諒大, 川村幸裕, 谷田博司, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ，Photon Factory Activity Report，2019.08
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部分充填スクッテルダイト化合物 LaxRh4Sb12の高圧下における構造安定性
林純一, 中島良介, 佐藤雄也, 秋元大輔, 梶山誉文, 川村幸裕, 武田圭生, 関根ちひろ，Photon Factory Activity Report 2017，2018
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アルカリ土類を含む As 系充填スクッテルダイト化合物の体積弾性率
川村幸裕,, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ，Photon Factory Activity Report 2017，2018
Presentaion at conference, meeting, etc. 【 display / non-display 】
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RMnSi(R=Pr, Nd)の温度圧力相図
西山紗恵, 國岡大祐, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ, 高橋博樹, 谷田博司, 川村幸裕，日本物理学会2025年春季大会，日本物理学会，日本物理学会2025年春季大会概要集，2025.03.19，オンライン開催，Japan
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高圧下におけるベンゾオキサゾール系蛍光増白剤の発光スペクトル
武田圭生, 鎌田恵太, 林純一, 川村幸裕，日本物理学会2025年春季大会，日本物理学会，日本物理学会2025年春季大会概要集，2025.03.19，オンライン開催，Japan
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高圧下におけるナノ粒子合成法の確立
葛谷 俊博，関根 ちひろ，武田 圭生，濱中 泰，第65回高圧討論会，日本高圧力学会，第65回高圧討論会要旨集，2024.11.14，盛岡市，Japan
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重い電子系反強磁性体CeMnSiの電気抵抗の圧力依存性
西山 紗恵，美馬 はるか，林 純一，武田 圭生，関根 ちひろ，上床 美也，谷田 博司，川村 幸裕，第65回高圧討論会，日本高圧力学会，第65回高圧討論会要旨集，2024.11.14，盛岡市，Japan
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圧力誘起自己充填反応を利用したスクッテルダイト系熱電材料CoSb3-xTexの高圧合成と熱電特性
尾崎 蒼空，林 純一，川村 幸裕，武田 圭生，後藤 弘匡，関根 ちひろ，第65回高圧討論会，日本高圧力学会，第65回高圧討論会要旨集，2024.11.14，盛岡市，Japan
Class subject in charge 【 display / non-display 】
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電気回路基礎（Aクラス）
2024，Department
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電気電子工学実験Ａ（週２回開講）
2024，Department
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電気電子工学実験A（週２回開講）
2024，Department
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電気回路
2024，Department
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電気回路演習
2024，Department