基本情報

写真a

武田 圭生

タケダ ケイキ


担当専攻 博士前期課程

情報電子工学系専攻

担当専攻 博士後期課程

工学専攻

担当学科

情報電子工学系学科

職名

准教授

電子メールアドレス

メールアドレス

ホームページURL

http://www.muroran-it.ac.jp

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 高圧物性工学

  • 電子・電気材料工学

  • デバイス関連化学

出身大学院・研究科等 【 表示 / 非表示

  • 室蘭工業大学・大学院

    1996年03月,博士前期,工学研究科,電気電子工学専攻,修了,日本

  • 室蘭工業大学・大学院

    1999年03月,博士後期,工学研究科,生産情報システム工学専攻,修了,日本

出身学校・専攻等 【 表示 / 非表示

  • 室蘭工業大学

    1994年03月,工学部,電気電子工学科,卒業,日本

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 日本高圧力学会

  • 応用物理学会

  • 電気学会

  • 分子科学会

  • 日本物理学会

学術賞 【 表示 / 非表示

  • 超伝導科学技術賞

    2002年06月22日,未踏科学技術協会

 

有機金属錯体を利用した電子デバイス材料

圧力を利用して分子間距離を制御する

研究開発の目的

原子・分子間距離を制御して新電子デバイス材料開発

材料の性質を理解するために分子間距離を変えてみたいとき、一部を大きな分子に置換することが行われる。圧力を利用すると調べたい材料を構成する分子のまま距離を制御できる。特に有機物や金属錯体は大きな結晶格子を持つので顕著な圧力効果が期待できる。ピコレベルで分子間距離を制御して光学的性質や電気伝導を調査し、新しい電子デバイス材料の開発に利用する。

研究開発の概要

有機物や金属錯体を利用した新しい電子デバイス材料の開発

従来は一次元金属錯体の構成分子を置換して分子間距離を変化させていたが、圧力をかけることで分子間距離を変化させることが可能になった。また、一次元金属錯体は分子同士が近づくと色が多彩に変化し、電気抵抗が急激に減少する。この性質を利用すると、色から圧力が分かる圧力インジケータや電気抵抗から圧力を求める高圧力センサーとして利用できる。

研究紹介

研究開発の特徴/利点

1.研究のポイント 2.研究の新規性
  • 分子間距離を近付けたまま光学測定、電気伝導、結晶構造解析が可能
  • 圧力による電子材料の新しい性質の探索
  • 10万気圧を超える高圧力下での物性測定技術
3.従来の技術に比べての優位性 4.特許関連の状況
  • 構成分子を置換せずに分子間距離を変化させる
  • 分子間距離のピコレベル制御
  • 分子同士を近付けた状態で測定可能
  • ミクロンサイズの微小試料で測定可能
 

著書 【 表示 / 非表示

  • 室蘭工大 未来をひらく技術と研究

    関根ちひろ、武田圭生他,北海道新聞社,超高圧で夢の材料を作る,(頁 230),2014年07月

論文 【 表示 / 非表示

  • High-pressure and high-temperature synthesis of heavy lanthanide sesquisulfides Ln2S3 (Ln = Yb and Lu)

    M. Kanazawa, L. Li, T. Kuzuya, K. Takeda, S. Hirai, Y. Higo, T. Shinmei, T. Irifune, C. Sekine,J. Alloys and Compounds,736巻,(頁 314 ~ 321),2018年03月

  • High-pressure Synthesis and Physical Properties of New Filled Skutterudite Compound BaOs4P12

    S. Deminami, Y. Kawamura, Y. Q. Chen, M. Kanazawa, J. Hayashi, T. Kuzuya, K. Takeda, M. Matsuda and C. Sekine,Journal of Physics: Conference Series,950巻,(頁 1 ~ 4),Article Number:042032,2017年11月

  • X-Ray Diffraction Study of CeT2Al10 (T = Ru, Os) at Low Temperatures and under Pressures

    J. Hayashi, K. Takeda, C. Sekine, H. Tanida, M. Sera, S. Nakano, T. Tomita, H. Takahashi and T. Nishioka,ACTA PHYSICA POLONICA A,131巻,(頁 988 ~ 990),2017年04月

  • Successive spatial symmetry breaking under high pressure in the spin-orbit-coupled metal Cd2Re2O7

    Jun-ichi Yamaura, Keiki Takeda, Yoichi Ikeda, Naohisa Hirao, Yasuo Ohishi, Tatsuo C. Kobayashi, and Zenji Hiroi,Phys. Rev. B,95巻,(頁 020102(R)(5pages)) ~ ),2017年01月

  • The structural, transport, and magnetic properties of Yb-filled skutterudites YbyFexCo4-xSb12 synthesized under high pressure

    Yuqi Chen, Yukihiro Kawamura, Junichi Hayashi, Keiki Takeda, and Chihiro Sekine,J. Appl. Phys.,120巻,(頁 235105(9pages) ~ ),2016年12月

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国際会議Proceedings 【 表示 / 非表示

  • Negative Persistent Photoconductivity Effect on WeakAnti-Localization in Hetero-Interface of InSb/GaAs(100)

    A. Fujimoto, S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, and I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,893巻,(頁 567 ~ 568),2007年

  • Study of Spin-Orbit Interaction in AlxGa1

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Oto, K. Takeda, and I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,893巻,(頁 569 ~ 570),2007年

  • Magneto-Transport Properties in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Wells

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki,The Institute of Physics Conference Series Number 187,(頁 585 ~ 590),2005年

  • Spin-Orbit Interactionin InSb Thin Films Grown on GaAs(100) Substrates by MBE: Effect of Hetero-Interface

    S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,772巻,(頁 1287 ~ 1288),2005年

  • Quantum Transport in the Accumulation Layer at InSb/GaAs(100) Hetero-Interface

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki,The Institute of Physics Conference Series Number 187,(頁 67 ~ 72),2005年

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研究報告 【 表示 / 非表示

  • Pressure-induced structural change of unfilled skutterudite compound IrSb3

    K. Matsui, J. Hayashi, K. Ito, H. Nakamura, K. Takeda, C. Sekine,Photon Factory Activity Report 2009,28巻,(頁 224 ~ ),2011年

  • Pressure-induced irreversible isosymmetric transition of unfilled skutterudite compound CoSb3

    K. Matsui, J. Hayashi, K. Akahira, K. Ito, K. Takeda, C. Sekine,Photon Factory Activity Report 2008,27巻,(頁 196 ~ ),2010年

  • X-ray diffraction study of filled skutterudite BaRu4As12 at hiigh pressure

    J. Hayashi, K. Takeda, K. Matsui, C. Sekine, T. Yagi,Photon Factory Activity Report 2008,27巻,(頁 198 ~ ),2010年

  • X-ray diffraction in Fe-based pressure-induced superconductor SrFe2As2

    H. Kotegawa, K. Takeda, Y. Ooishi, T. Takayuki, Y. Hara,SPring-8 User Experiment Report, (2009A),2009年

  • Powder x-ray diffraction analysis of bis(1,2-cyclohexanedionedioximato)palladium(II) under high pressure

    K. Takeda, T. Sasaki, J. Hayashi, I. Shirotani,Photon Factory Activity Report 2008,26巻,(頁 183 ~ ),2009年

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学会等発表 【 表示 / 非表示

  • 充填スクッテルダイト化合物AOs4P12(A=Ca, Sr, Ba)の熱輸送特性II

    川村幸裕, 出南真吾, 林純一, 武田圭生, Leonid Salamakha, Andrey Sidorenko, Herwig Michor, Ernst Bauer, 郷地順, 上床美也, 河江達也, 関根ちひろ,日本物理学会第73回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第73回年次大会,2018年03月23日,東京理科大学 野田キャンパス

  • 高圧下における半導体ナノ粒子CuInS2の発光特性

    武田圭生, 澤口健文, 林純一, 葛谷俊博, 関根ちひろ, 濱中泰,日本物理学会第73回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第73回年次大会,2018年03月22日,東京理科大学 野田キャンパス

  • RuAs及び類似ジグザグ構造を持つ物質の基底状態

    桑田祥希, 小手川恒, 武田圭生, 藤秀樹, 松岡英一, 菅原仁, 太田仁, 櫻井敬博, 播磨尚朝,日本物理学会第73回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第73回年次大会,2018年03月22日,東京理科大学 野田キャンパス

  • 半導体ナノ粒子 CuInS2の高圧下 X 線回折

    武田圭生 、澤口健文 、林純一 、葛谷俊博 、関根ちひろ 、濱中泰,2017年度量子ビームサイエンスフェスタ,KEK 物質構造科学研究所,J-PARCセンター総合科学研究機構(CROSS),PF-ユーザアソシエーション,J-PARC MLF利用者懇談会,2017年度量子ビームサイエンスフェスタ,2018年03月04日,茨城県立県民文化センター

  • アルカリ土類系充填スクッテルダイト化合物 AT4X12 (A = Ca, Sr, Ba, T = Fe, Ru, Os, X = P, As, Sb)の体積弾性率

    川村幸裕,長内俊英, 林純一,武田圭生,関根ちひろ,2017年度量子ビームサイエンスフェスタ,KEK 物質構造科学研究所,J-PARCセンター総合科学研究機構(CROSS),PF-ユーザアソシエーション,J-PARC MLF利用者懇談会,2017年度量子ビームサイエンスフェスタ,2018年03月04日,茨城県立県民文化センター

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科学研究費助成事業 【 表示 / 非表示

  • 超高圧技術が開く革新的ナノ粒子合成プロセス

    2017年度,基盤研究(C),16K06810

  • 超高圧技術が開く革新的ナノ粒子合成プロセス

    2016年度,基盤研究(C),16K06810

  • 6−6型高圧発生装置を用いた新奇希土類プニクタイドの創製

    2015年度,基盤研究(B),23340092

  • 6−6型高圧発生装置を用いた新奇希土類プニクタイドの創製

    2014年度,基盤研究(B),23340092

  • 6−6型高圧発生装置を用いた新奇希土類プニクタイドの創製

    2013年度,基盤研究(B),23340092

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担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 電気電子工学実験A

    2018年度,学部

  • 基礎電気回路(後半)

    2018年度,学部

  • 電気回路II

    2018年度,学部

  • 基礎電気回路(前半)

    2018年度,学部

  • 電子デバイス工学特論B

    2018年度,博士前期課程

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公開講座等 【 表示 / 非表示

  • 体験しよう! 未来を変える夢の新材料と不思議な超高圧の世界

    2017年07月22日,室蘭工業大学,日本学術振興会,室蘭工業大学,ひらめき☆ときめきサイエンス,講演

  • 高圧氷

    2016年12月12日,室蘭工業大学環境調和材料工学研究センター,室蘭市青少年科学館,第3回サイエンスフェスタ,講演

  • キャンパスツアー

    2016年08月06日,室蘭工業大学,室蘭工業大学,オープンキャンパス,企画

  • 体験しよう! 未来を変える夢の新材料と不思議な超高圧の世界

    2016年07月30日,室蘭工業大学,日本学術振興会,室蘭工業大学,ひらめき☆ときめきサイエンス,講演

  • 夢の技術と材料の不思議「つめたくない氷!?」「お湯と氷で発電!?」「お湯で動くエンジン!?」

    2016年07月24日,室蘭工業大学,室蘭市青少年科学館,室蘭市青少年科学館,室工大サイエンススクール,講演

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学会・研究会の主催等 【 表示 / 非表示

  • 平成29年電気学会 基礎・材料・共通部門大会(A部門大会)

    室蘭市,委員,日本