Personnel Information

写真a

Takeda Keiki


Affiliation centers1, etc

The Center for Rare Earths Research

The master's program in charge

Division of Information and Electronic Engineering

The doctoral program in charge

Division of Engineering

The department in charge

Department of Engineering

Job title

Associate Professor

E-mail Address

E-mail address

Research field 【 display / non-display

  • 高圧物性工学

  • Electronic materials/Electric materials

  • Device related chemistry

Graduate school・Graduate course, etc. 【 display / non-display

  • Muroran Institute of Technology

    1996.03,Master's program,Graduate School, Division of Engineering,電気電子工学専攻,Completed,Japan

  • Muroran Institute of Technology

    1999.03,Doctoral program,Graduate School, Division of Engineering,生産情報システム工学専攻,Completed,Japan

Graduate school・major, etc. 【 display / non-display

  • Muroran Institute of Technology

    1994.03,Faculty of Engineering,電気電子工学科,Graduate,Japan

Degree 【 display / non-display

  • Doctor of Engineering

    高圧下における金属-ジオンジオキシマート錯体の構造と電子物性

Academic Society 【 display / non-display

  • 日本高圧力学会

  • 応用物理学会

  • 電気学会

  • 分子科学会

  • 日本物理学会

Academic prize 【 display / non-display

  • 超伝導科学技術賞

    2002.06.22,未踏科学技術協会

 

有機金属錯体を利用した電子デバイス材料

圧力を利用して分子間距離を制御する

Purpose of Research

原子・分子間距離を制御して新電子デバイス材料開発

材料の性質を理解するために分子間距離を変えてみたいとき、一部を大きな分子に置換することが行われる。圧力を利用すると調べたい材料を構成する分子のまま距離を制御できる。特に有機物や金属錯体は大きな結晶格子を持つので顕著な圧力効果が期待できる。ピコレベルで分子間距離を制御して光学的性質や電気伝導を調査し、新しい電子デバイス材料の開発に利用する。

Summary of Research

有機物や金属錯体を利用した新しい電子デバイス材料の開発

従来は一次元金属錯体の構成分子を置換して分子間距離を変化させていたが、圧力をかけることで分子間距離を変化させることが可能になった。また、一次元金属錯体は分子同士が近づくと色が多彩に変化し、電気抵抗が急激に減少する。この性質を利用すると、色から圧力が分かる圧力インジケータや電気抵抗から圧力を求める高圧力センサーとして利用できる。

Research Content

Features / Benefits of Research

1.Point of research 2.Research of novelty
  • 分子間距離を近付けたまま光学測定、電気伝導、結晶構造解析が可能
  • 圧力による電子材料の新しい性質の探索
  • 10万気圧を超える高圧力下での物性測定技術
3.Primacy of Technology 4.Situation of patent-related
  • 構成分子を置換せずに分子間距離を変化させる
  • 分子間距離のピコレベル制御
  • 分子同士を近付けた状態で測定可能
  • ミクロンサイズの微小試料で測定可能
 

Books 【 display / non-display

  • 室蘭工大 未来をひらく技術と研究

    関根ちひろ、武田圭生他,北海道新聞社,超高圧で夢の材料を作る,(p.230),2014.07

Papers 【 display / non-display

  • Structural Phase Transition in Antiferromagnet CeCoSi compared to Isostructural LaCoSi and PrCoSi

    Y. Kawamura, H. Tanida, R. Ueda, J. Hayashi, K. Takeda, C. Sekine,J. Phys. Soc. Jpn.,vol.89,(5),(p.1 ~ 6),Article Number:054702,2020.04

  • Helimagnetic Structure and Heavy-Fermion-Like Behavior in the Vicinity of the Quantum Critical Point in Mn3P

    H. Kotegawa, M. Matsuda ,F. Ye, Y. Tani, K. Uda, Y. Kuwata,H. Tou,E. Matsuoka, H. Sugawara, T. Sakurai, H. Ohta, H. Harima , K. Takeda ,J. Hayashi, S. Araki, T.C. Kobayashi,Physical Review Letters,vol.124,(p.1 ~ 6),Article Number:087202,2020.02

  • Superlattice formation lifting degeneracy protected by nonsymmorphic symmetry through a metal-insulator transition in RuAs

    Kotegawa, H, Takeda, K, Kuwata, Y, Hayashi, J, Tou, H, Sugawara, H, Sakurai, T, Ohta, H, Harima, H,PHYSICAL REVIEW MATERIALS,vol.2,(5),(p.055001-1 ~ 055001-10),2018.05

  • High-pressure and high-temperature synthesis of heavy lanthanide sesquisulfides Ln2S3 (Ln = Yb and Lu)

    M. Kanazawa, L. Li, T. Kuzuya, K. Takeda, S. Hirai, Y. Higo, T. Shinmei, T. Irifune, C. Sekine,Journal of Alloys and Compounds,vol.736,(p.314 ~ 321),2018.03

  • High-pressure Synthesis and Physical Properties of New Filled Skutterudite Compound BaOs4P12

    S. Deminami, Y. Kawamura, Y. Q. Chen, M. Kanazawa, J. Hayashi, T. Kuzuya, K. Takeda, M. Matsuda and C. Sekine,Journal of Physics: Conference Series,vol.950,(p.1 ~ 4),Article Number:042032,2017.11

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International conference proceedings 【 display / non-display

  • Negative Persistent Photoconductivity Effect on WeakAnti-Localization in Hetero-Interface of InSb/GaAs(100)

    A. Fujimoto, S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, and I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,vol.893,(p.567 ~ 568),2007

  • Study of Spin-Orbit Interaction in AlxGa1

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Oto, K. Takeda, and I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,vol.893,(p.569 ~ 570),2007

  • Magneto-Transport Properties in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Wells

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki,The Institute of Physics Conference Series Number 187,(p.585 ~ 590),2005

  • Spin-Orbit Interactionin InSb Thin Films Grown on GaAs(100) Substrates by MBE: Effect of Hetero-Interface

    S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,vol.772,(p.1287 ~ 1288),2005

  • Quantum Transport in the Accumulation Layer at InSb/GaAs(100) Hetero-Interface

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki,The Institute of Physics Conference Series Number 187,(p.67 ~ 72),2005

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Research reports 【 display / non-display

  • CeCoSiの室温高圧下粉末X線回折実験

    上田諒大, 川村幸裕, 谷田博司, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ,Photon Factory Activity Report,2019.08

  • 部分充填スクッテルダイト化合物 LaxRh4Sb12の高圧下における構造安定性

    林純一, 中島良介, 佐藤雄也, 秋元大輔, 梶山誉文, 川村幸裕, 武田圭生, 関根ちひろ,Photon Factory Activity Report 2017,2018

  • アルカリ土類を含む As 系充填スクッテルダイト化合物の体積弾性率

    川村幸裕,, 林純一, 武田圭生, 関根ちひろ,Photon Factory Activity Report 2017,2018

  • Pressure-induced structural change of unfilled skutterudite compound IrSb3

    K. Matsui, J. Hayashi, K. Ito, H. Nakamura, K. Takeda, C. Sekine,Photon Factory Activity Report 2009,vol.28,(p.224 ~ ),2011

  • Pressure-induced irreversible isosymmetric transition of unfilled skutterudite compound CoSb3

    K. Matsui, J. Hayashi, K. Akahira, K. Ito, K. Takeda, C. Sekine,Photon Factory Activity Report 2008,vol.27,(p.196 ~ ),2010

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Presentaion at conference, meeting, etc. 【 display / non-display

  • ジグザグ構造を有するNbTP (T = Cr, Mn)の相転移の研究

    桑田祥希, 小手川恒, 武田圭生, 古川裕次, 丁慶平, 藤秀樹, 松岡英一, 菅原仁, 太田仁, 桜井敬博, 播磨尚朝,日本物理学会第75回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第75回年次大会(2020年)予稿集,2020.03.18,名古屋大学

  • 高圧下における半導体ナノ粒子MInS2の発光特性と小角散乱

    武田圭生, 仲条一輝, 大野圭太, 林純一, 葛谷俊博, 関根ちひろ, 濱中泰, 若林大佑, 佐藤友子, 船守展正,日本物理学会第75回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第75回年次大会(2020年)予稿集,2020.03.18,名古屋大学

  • NMRによるヘリカル磁性体Mn3Pの研究

    谷悠希, 小手川恒, 宇田幸平, 桑田祥希, 藤秀樹, 菅原仁, 播磨尚朝, 荒木新吾, 小林達生, 武田圭生, 櫻井敬博, 太田仁, Feng Ye, 松田雅昌,日本物理学会第75回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第75回年次大会(2020年)予稿集,2020.03.18,名古屋大学

  • 反強磁性物質CeCoSiの構造相転移

    川村幸裕, 上田諒大, 谷田博司, 林純一, 武田圭生, 郷地順, 上床美也, 関根ちひろ,日本物理学会第75回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第75回年次大会(2020年)予稿集,2020.03.16,名古屋大学

  • RCoSi(R=La,Ce,Pr)の室温圧力下粉末X線回折

    川村幸裕,上田諒大,谷田博司,林純一,武田圭生,関根ちひろ,第60回高圧討論会,日本高圧力学会,第60回高圧討論会要旨集,2019.10.23,札幌市

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Class subject in charge 【 display / non-display

  • 電気電子工学実験A

    2019,Department

  • 電気回路II

    2019,Department

  • 電気回路II

    2019,Department

  • 電子デバイス工学特論B

    2019,Master's program

  • 学内インターンシップ(電子デバイス計測コース)

    2019,Master's program

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