Personnel Information

写真a

Takeda Keiki


The master's program in charge

Division of Information and Electronic Engineering

The doctoral program in charge

Division of Engineering

The department in charge

Department of Information and Electronic Engineering

Job title

Associate Professor

E-mail Address

E-mail address

Research field 【 display / non-display

  • 高圧物性工学

  • Electronic materials/Electric materials

  • Device related chemistry

Graduate school・Graduate course, etc. 【 display / non-display

  • Muroran Institute of Technology

    1996.03,Master's program,Graduate School, Division of Engineering,電気電子工学専攻,Completed,Japan

  • Muroran Institute of Technology

    1999.03,Doctoral program,Graduate School, Division of Engineering,生産情報システム工学専攻,Completed,Japan

Graduate school・major, etc. 【 display / non-display

  • Muroran Institute of Technology

    1994.03,Faculty of Engineering,電気電子工学科,Graduate,Japan

Academic Society 【 display / non-display

  • 日本高圧力学会

  • 応用物理学会

  • 電気学会

  • 分子科学会

  • 日本物理学会

Academic prize 【 display / non-display

  • 超伝導科学技術賞

    2002.06.22,未踏科学技術協会

 

有機金属錯体を利用した電子デバイス材料

圧力を利用して分子間距離を制御する

Purpose of Research

原子・分子間距離を制御して新電子デバイス材料開発

材料の性質を理解するために分子間距離を変えてみたいとき、一部を大きな分子に置換することが行われる。圧力を利用すると調べたい材料を構成する分子のまま距離を制御できる。特に有機物や金属錯体は大きな結晶格子を持つので顕著な圧力効果が期待できる。ピコレベルで分子間距離を制御して光学的性質や電気伝導を調査し、新しい電子デバイス材料の開発に利用する。

Summary of Research

有機物や金属錯体を利用した新しい電子デバイス材料の開発

従来は一次元金属錯体の構成分子を置換して分子間距離を変化させていたが、圧力をかけることで分子間距離を変化させることが可能になった。また、一次元金属錯体は分子同士が近づくと色が多彩に変化し、電気抵抗が急激に減少する。この性質を利用すると、色から圧力が分かる圧力インジケータや電気抵抗から圧力を求める高圧力センサーとして利用できる。

Research Content

Features / Benefits of Research

1.Point of research 2.Research of novelty
  • 分子間距離を近付けたまま光学測定、電気伝導、結晶構造解析が可能
  • 圧力による電子材料の新しい性質の探索
  • 10万気圧を超える高圧力下での物性測定技術
3.Primacy of Technology 4.Situation of patent-related
  • 構成分子を置換せずに分子間距離を変化させる
  • 分子間距離のピコレベル制御
  • 分子同士を近付けた状態で測定可能
  • ミクロンサイズの微小試料で測定可能
 

Books 【 display / non-display

  • 室蘭工大 未来をひらく技術と研究

    関根ちひろ、武田圭生他,北海道新聞社,超高圧で夢の材料を作る,(p.230),2014.07

Papers 【 display / non-display

  • High-pressure and high-temperature synthesis of heavy lanthanide sesquisulfides Ln2S3 (Ln = Yb and Lu)

    M. Kanazawa, L. Li, T. Kuzuya, K. Takeda, S. Hirai, Y. Higo, T. Shinmei, T. Irifune, C. Sekine,J. Alloys and Compounds,vol.736,(p.314 ~ 321),2018.03

  • High-pressure Synthesis and Physical Properties of New Filled Skutterudite Compound BaOs4P12

    S. Deminami, Y. Kawamura, Y. Q. Chen, M. Kanazawa, J. Hayashi, T. Kuzuya, K. Takeda, M. Matsuda and C. Sekine,Journal of Physics: Conference Series,vol.950,(p.1 ~ 4),Article Number:042032,2017.11

  • X-Ray Diffraction Study of CeT2Al10 (T = Ru, Os) at Low Temperatures and under Pressures

    J. Hayashi, K. Takeda, C. Sekine, H. Tanida, M. Sera, S. Nakano, T. Tomita, H. Takahashi and T. Nishioka,ACTA PHYSICA POLONICA A,vol.131,(p.988 ~ 990),2017.04

  • Successive spatial symmetry breaking under high pressure in the spin-orbit-coupled metal Cd2Re2O7

    Jun-ichi Yamaura, Keiki Takeda, Yoichi Ikeda, Naohisa Hirao, Yasuo Ohishi, Tatsuo C. Kobayashi, and Zenji Hiroi,Phys. Rev. B,vol.95,(p.020102(R)(5pages)) ~ ),2017.01

  • The structural, transport, and magnetic properties of Yb-filled skutterudites YbyFexCo4-xSb12 synthesized under high pressure

    Yuqi Chen, Yukihiro Kawamura, Junichi Hayashi, Keiki Takeda, and Chihiro Sekine,J. Appl. Phys.,vol.120,(p.235105(9pages) ~ ),2016.12

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International conference proceedings 【 display / non-display

  • Negative Persistent Photoconductivity Effect on WeakAnti-Localization in Hetero-Interface of InSb/GaAs(100)

    A. Fujimoto, S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, and I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,vol.893,(p.567 ~ 568),2007

  • Study of Spin-Orbit Interaction in AlxGa1

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Oto, K. Takeda, and I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,vol.893,(p.569 ~ 570),2007

  • Magneto-Transport Properties in AlxGa1-xAsySb1-y/InAs Quantum Wells

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki,The Institute of Physics Conference Series Number 187,(p.585 ~ 590),2005

  • Spin-Orbit Interactionin InSb Thin Films Grown on GaAs(100) Substrates by MBE: Effect of Hetero-Interface

    S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki,AIP Conf. Proc.,vol.772,(p.1287 ~ 1288),2005

  • Quantum Transport in the Accumulation Layer at InSb/GaAs(100) Hetero-Interface

    S. Ishida, A. Fujimoto, K. Takeda, A. Souma, K. Oto, A. Okamoto and I. Shibasaki,The Institute of Physics Conference Series Number 187,(p.67 ~ 72),2005

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Research reports 【 display / non-display

  • Pressure-induced structural change of unfilled skutterudite compound IrSb3

    K. Matsui, J. Hayashi, K. Ito, H. Nakamura, K. Takeda, C. Sekine,Photon Factory Activity Report 2009,vol.28,(p.224 ~ ),2011

  • Pressure-induced irreversible isosymmetric transition of unfilled skutterudite compound CoSb3

    K. Matsui, J. Hayashi, K. Akahira, K. Ito, K. Takeda, C. Sekine,Photon Factory Activity Report 2008,vol.27,(p.196 ~ ),2010

  • X-ray diffraction study of filled skutterudite BaRu4As12 at hiigh pressure

    J. Hayashi, K. Takeda, K. Matsui, C. Sekine, T. Yagi,Photon Factory Activity Report 2008,vol.27,(p.198 ~ ),2010

  • X-ray diffraction in Fe-based pressure-induced superconductor SrFe2As2

    H. Kotegawa, K. Takeda, Y. Ooishi, T. Takayuki, Y. Hara,SPring-8 User Experiment Report, (2009A),2009

  • Powder x-ray diffraction analysis of bis(1,2-cyclohexanedionedioximato)palladium(II) under high pressure

    K. Takeda, T. Sasaki, J. Hayashi, I. Shirotani,Photon Factory Activity Report 2008,vol.26,(p.183 ~ ),2009

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Presentaion at conference, meeting, etc. 【 display / non-display

  • 充填スクッテルダイト化合物AOs4P12(A=Ca, Sr, Ba)の熱輸送特性II

    川村幸裕, 出南真吾, 林純一, 武田圭生, Leonid Salamakha, Andrey Sidorenko, Herwig Michor, Ernst Bauer, 郷地順, 上床美也, 河江達也, 関根ちひろ,日本物理学会第73回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第73回年次大会,2018.03.23,東京理科大学 野田キャンパス

  • 高圧下における半導体ナノ粒子CuInS2の発光特性

    武田圭生, 澤口健文, 林純一, 葛谷俊博, 関根ちひろ, 濱中泰,日本物理学会第73回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第73回年次大会,2018.03.22,東京理科大学 野田キャンパス

  • RuAs及び類似ジグザグ構造を持つ物質の基底状態

    桑田祥希, 小手川恒, 武田圭生, 藤秀樹, 松岡英一, 菅原仁, 太田仁, 櫻井敬博, 播磨尚朝,日本物理学会第73回年次大会,日本物理学会,日本物理学会第73回年次大会,2018.03.22,東京理科大学 野田キャンパス

  • 半導体ナノ粒子 CuInS2の高圧下 X 線回折

    武田圭生 、澤口健文 、林純一 、葛谷俊博 、関根ちひろ 、濱中泰,2017年度量子ビームサイエンスフェスタ,KEK 物質構造科学研究所,J-PARCセンター総合科学研究機構(CROSS),PF-ユーザアソシエーション,J-PARC MLF利用者懇談会,2017年度量子ビームサイエンスフェスタ,2018.03.04,茨城県立県民文化センター

  • アルカリ土類系充填スクッテルダイト化合物 AT4X12 (A = Ca, Sr, Ba, T = Fe, Ru, Os, X = P, As, Sb)の体積弾性率

    川村幸裕,長内俊英, 林純一,武田圭生,関根ちひろ,2017年度量子ビームサイエンスフェスタ,KEK 物質構造科学研究所,J-PARCセンター総合科学研究機構(CROSS),PF-ユーザアソシエーション,J-PARC MLF利用者懇談会,2017年度量子ビームサイエンスフェスタ,2018.03.04,茨城県立県民文化センター

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Class subject in charge 【 display / non-display

  • 電気電子工学実験A

    2018,Department

  • 電子デバイス工学特論B

    2018,Master's program

  • 基礎電気回路(後半)

    2017,Department

  • 電気回路II

    2017,Department

  • 基礎電気回路(前半)

    2017,Department

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