Research reports - Uesugi Katsuhiro
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原子層堆積法を用いた三次元微細構造の作製
植杉克弘，真空と表面，vol.61，(12)，(p.815)，2018.12
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ペロプスカイト太陽電池の高効率化
植杉克弘，表面科学，vol.38，(1)，(p.47)，2017.01
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次世代高性能シリコンデバイス製造に向けた新規プロセスの研究開発
福田 永，植杉 克弘，城 尚志，室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告，(24)，(p.4 ～ 6)，2014.02
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次世代高性能シリコン薄膜デバイス製造に向けた低温シリコン膜の研究開発
福田 永,植杉 克弘,城 尚志，室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告，(24)，(p.1 ～ 3)，2014.02
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次世代表面弾性波デバイス製造に向けた微細加工技術に関する研究
植杉克弘，小川健吾，福田永，室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告，(21)，(p.21 ～ 23)，2012.02
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GaSb系量子ドットの生成とこれを用いた量子光源の共同研究
植杉克弘，末宗幾夫，臼井強志，弓貴成，2010年物質・デバイス領域共同研究拠点研究成果報告書，(p.10 ～ 11)，2011.03
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高密度プラズマ発生装置の開発と次世代薄膜形成への応用に関する研究
福田永，平尾孝，佐藤孝紀，植杉克弘，室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告，(20)，(p.6 ～ 10)，2010.02
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ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用
福田永 , 植杉克弘，電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料，vol.108，(178)，(p.19 ～ 22)，2008.04
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Pentacene Thin Film Formation and Application to Organic Transistor
夛田芳広 , 山田真也 , 植杉克弘 , 福田永，電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料，vol.108，(178)，(p.23 ～ 26)，2008.04
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ZnO透明導電膜の低温成膜プロセス技術の開発
植杉克弘，古川雅一，鈴木摂，室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告，(18)，(p.43 ～ 44)，2007.02
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ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用
福田 永,小島 崇,植杉 克弘，電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報，vol.106，(132)，(p.39 ～ 44)，2006.06
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GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製
植杉 克弘,末宗 幾夫，電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報，vol.104，(265)，(p.49 ～ 53)，2004.08
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高温超伝導薄膜細線への磁束侵入とSQUIDのノイズ特性
川口 洋平 , 栗眞也 , 植杉克弘 , 徳本洋志 , 三上春樹 , 松田端史，電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス，vol.103，(367)，(p.21 ～ 26)，2003.10
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GaNAs系混晶半導体の結晶成長とその物価評価
植杉 克弘,長谷川 達生，電子科学研究，vol.7，(p.35 ～ 38)，1999.07
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SEM/AFM複合ナノリソグラフィによる半導体選択成長用マスクの作製
アブラメスク アドリアン,上田章雄,植杉 克弘,末宗 幾夫，電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス，vol.98，(184)，(p.9 ～ 14)，1998.07
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GaNA_s混晶半導体の成長と物性評価
植杉 克弘,末宗 幾夫，電子科学研究，vol.5，(p.66 ～ 67)，1997.07
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CdSe自己組織化量子ドットの作製
有田 宗貴,Avramescu A.,植杉 克弘,末宗 幾夫，電子科学研究，vol.4，(p.80 ～ 82)，1996.01
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ZnSe/MgS超格子の励起子発光特性
梨木 裕之,鈴木 秀樹,植杉 克弘,末宗 幾夫，電子科学研究，vol.4，(p.83 ～ 86)，1996.01
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STMによるSi表面へのAlCl_3吸着過程の観察と反応表面での原子・分子操作
植杉 克弘,滝口 隆晴,吉村 雅満,八百 隆文，電子科学研究，vol.2，(p.74 ～ 78)，1994.02
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アルゴンスパッタ非晶質Si膜の固相エピタキシ過程のSTM観察(気相成長III)
植杉 克弘,吉村 雅満,八百 隆文，日本結晶成長学会誌，vol.20，(2)，(p.112 ～ )，1993.07
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