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• ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

• 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

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• 電子材料、半導体

取得学位 【 表示 ／ 非表示 】

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• 博士（工学）

  Atomic-scale processes on silicon surfaces studied with scanning tunneling microscopy

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• 日本表面真空学会

• 応用物理学会

• 日本ゾル-ゲル学会

研究紹介 【 表示 ／ 非表示 】

新しい機能を持った光・電子デバイスの実現を目指す

新機能を持った光デバイス・電子デバイス

研究開発の目的

新しい機能を持った光・電子デバイスの作製

原子を1層ずつ結晶成長させ、新しい半導体材料を開発する。表面・界面エンジニアリングと半導体ナノ量子構造の作製により、新しい機能を持った光・電子デバイスが可能となる。

研究開発の概要

相分離させずに新しい混晶半導体結晶を作製

有機金属材料を用いた結晶成長法により、新しい混晶半導体結晶を相分離させずに作製する。また、量子ドット、量子井戸、超格子などを作製し、量子効果により様々な物性や機能を実現していく。それらによって発生する広範囲なバンドギャップエンジニアリングという利点から、新機能を利用した光デバイス・電子デバイスを開発する。

研究開発の特徴／利点

１．研究のポイント	２．研究の新規性
非混和性の強い材料でも、相分離させずに単結晶の作製が可能 表面・界面制御により、半導体量子ドット構造の作製が可能 スピノーダル分解を利用したナノ物質の作製が可能	GaAsN（ガリウムヒ素窒素）系半導体混晶の研究 II-VI族、III-V族化合物半導体量子ドットの研究 金属酸化物混晶半導体の研究 ナノシート・ナノワイヤー・ナノドットの作製
３．従来の技術に比べての優位性	４．特許関連の状況
任意の結晶構造、格子定数の結晶が作製可能 広範囲でバンドギャップエンジニアリングが可能 GaAsNSe ノンアロイオーミック電極が可能 水酸化物・水酸化物・酸窒化物半導体材料が作製可能	特願2001−395421

著書 【 表示 ／ 非表示 】

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• Dilute Nitride Semiconductors

  I. Suemune, K. Uesugi, S. Ganapathy，Elsevier Ltd.，MOMBE Growth and Characterization of III-V-N Compounds and Application to InAs Quantum Dots，2004年12月

• Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms

  T. Yao, T. Komura, K. Uesugi and M. Yoshimura，Elsevier Science B.V.，Scanning tunneling microscope study of solid phase epitaxy processes on the Si(001)2x1 surface，1997年03月

• Growth and optical properties of wide-gap II-VI low dimensional semiconductors

  T. Yao, M. Fujimoto, K. Uesugi and S. Kamiyama，Plenum Publishing Corporation，MBE and ALE ofII-VI compounds: Growth processes and lattice strain in heteroepitaxy，1989年08月

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• Annealing Dependence on Structural and Electrical Characteristic of n-ZnO/p-CuGaO2 Transparent Heterojunction Diode

  Muhammad Hafiz Abu Bakar, Lam Mui Li, Khairul Anuar Mohamad, Fouziah Md Yassin, Chee Fuei Pien, Afishah Alias, Katsuhiro Uesugi，Advanced Science Letters，23巻，11号，(頁 11564 ～ 11566)，2017年11月

  

• Metal-organic molecular beam epitaxy of GaAsNSe films using Ga droplets on GaP(001)

  Yuki Shimomura, Yosuke Igarashi, Shinji Kimura, Yuhei Suzuki, Yoshihiro Tada, Hisashi Fukuda, and Katsuhiro Uesugi，Japanese Journal of Applied Physics，55巻，8S1号，2016年08月

  

• 液相中への縦波放射を利用したレイリー型表面弾性波センサーの開発

  小川　健吾，鳥越　俊彦，澤田　研，岩佐　達郎，永野 宏治，柴山　義行，夛田　芳広，植杉　克弘，福田　永，電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌），135巻，12号，(頁 490 ～ 495)，2015年12月

  

• 縦波表面弾性波を用いた液相系センサーの動作特性

  小川健吾、山田真也、鳥越俊彦、澤田　研、岩佐達郎、杉山史一、夛田芳広、植杉克弘、福田　永，表面科学，35巻，6号，(頁 319 ～ 323)，2014年06月

  

• Mixed P3HT/PCBM Organic Thin-Film Transistors: Relation between Morphology and Electrical Characteristics

  Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Kumar Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda，J. Chem. Chem. Eng.，8巻，(頁 476 ～ 323)，2014年05月

  

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国際会議Proceedings 【 表示 ／ 非表示 】

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• Annealing dependence on flexible p-CuGaO2/n-ZnO heterojunction diode deposited by RF sputtering method

  Mui Li Lam, Muhammad Hafiz Abu Bakar, Wai Yip Lam, Afishah Alias, Abu Bakar Abd Rahman, Khairul Anuar Mohamad, Katsuhiro Uesugi，EPJ Web of Conferences，162巻，Article Number:01061，2017年11月

  

• Annealing Dependence on Structural and Electrical Characteristic of n-ZnO/p-CuGaO2 Transparent Heterojunction Diode

  11. MH. Abu Bakar, LM. Li, KA. Mohamad, FM. Yassin, CF. Pien, A. Alias, and K. Uesugi，ADVANCED SCIENCE LETTERS，23巻，11号，(頁 11564 ～ 11566)，2017年11月

  

• Fabrication and characterization of 6, 13-bis (triisopropylsilylethynyl)-pentacene active semiconductor thin films prepared by flow-coating method

  Khairul Anuar Mohamad, Fara Naila Rusnan, Dzulfahmi Mohd Husin Seria, IsmailSaad, Afishah Alias, Uesugi Katsuhiro, Fukuda Hisashi，AIP Conf. Proc.，(頁 020003 ～ )，2015年08月，Negeri Sembilan

  

• Electrical and structural characterization of Zn doped CuGaO2 films

  Afishah Alias, Khairul Anuar Mohamad, Katsuhiro Uesugi, Hiroshi Fukuda，2013 IEEE Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM)，(頁 183 ～ 185)，2013年09月

  

• Effect of [6, 6]-Phenyl-C 61 butyric acid methyl ester (PCBM) agglomerated nanostructure on device performance in organic thin-film transistors

  Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hiroshi Fukuda，2013 IEEE RegionalSymposium on Microand Nanoelectronics (RSM)，(頁 179 ～ 182)，2013年09月

  

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論説・解説 【 表示 ／ 非表示 】

論説・解説 【 表示 ／ 非表示 】

• 走査トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程の観察

  植杉克弘，小村琢治，吉村雅満，八百隆文，表面科学，16巻，2号，(頁 105 ～ 112)，1995年02月

  

研究報告 【 表示 ／ 非表示 】

研究報告 【 表示 ／ 非表示 】

• 原子層堆積法を用いた三次元微細構造の作製

  植杉克弘，真空と表面，61巻，12号，(頁 815)，2018年12月

  

• ペロプスカイト太陽電池の高効率化

  植杉克弘，表面科学，38巻，1号，(頁 47)，2017年01月

  

• 次世代高性能シリコン薄膜デバイス製造に向けた低温シリコン膜の研究開発

  福田 永,植杉 克弘,城 尚志，室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告，24号，(頁 1 ～ 3)，2014年02月

  

• 次世代高性能シリコンデバイス製造に向けた新規プロセスの研究開発

  福田 永，植杉 克弘，城 尚志，室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告，24号，(頁 4 ～ 6)，2014年02月

  

• 次世代表面弾性波デバイス製造に向けた微細加工技術に関する研究

  植杉克弘，小川健吾，福田永，室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告，21号，(頁 21 ～ 23)，2012年02月

  

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学会等発表 【 表示 ／ 非表示 】

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• Optical bandgap narrowing in sol-gel derived Cu2O nanodot film for solar cell applications

  Katsuhiro Uesugi, Kaito Shinohe, Naoya Kumagai, and Yuxiao Pang，International Sol-Gel Conference SOLGEL 2024，International Sol-Gel Conference Book of Abstracts，(頁 181-182)，2024年09月01日，Berlin，ドイツ連邦共和国

• 銅酸化物ナノドット薄膜の光学的特性のアニール温度依存性

  植杉 克弘・四戸 快人・熊谷 直哉・米田 貴裕・伴野 健成・Yuxiao Pang，日本ゾル-ゲル学会第２２回討論会，日本ゾル-ゲル学会，日本ゾル-ゲル学会第２２回討論会講演予稿集，(頁 45)，2024年07月25日，東広島，日本国

• Growth temperature dependence of nanosheet structures on oriented GaOOH gel film surfaces

  Katsuhiro Uesugi, Keita Suzuki, Naoya Kumagai, Yuxiao Pang，Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023，JVSS 2023 program PDF for print，2023年10月31日，Nagoya，日本国

• ナローバンドギャップCu2Oナノドット薄膜の作製

  熊谷直哉, 植杉克弘，日本ゾル-ゲル学会第２１回討論会，日本ゾル-ゲル学会，日本ゾル-ゲル学会第２１回討論会予稿集，2023年07月13日，愛知，日本国

• Effects of Annealing on Sol-gel Derived Cu2O Films

  Katsuhiro UESUGI, Naoya KUMAGAI, Shinsuke SUZUKI, Yuxiao PANG，International Conference on Materials for Advance Technologies，Materials Research Society of Singapore，IUMRS-ICAM & ICMAT 2023，2023年06月26日，Singapore，シンガポール共和国

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共同研究の実績 【 表示 ／ 非表示 】

共同研究の実績 【 表示 ／ 非表示 】

• 大企業

  2013年04月01日，情報通信分野，4000000(円)

• 大企業

  2012年04月01日，情報通信分野，10000000(円)

• 大企業

  2011年06月01日，情報通信分野，10000000(円)

受託研究の実績 【 表示 ／ 非表示 】

受託研究の実績 【 表示 ／ 非表示 】

• 公益法人等

  2008年07月08日，情報通信分野，2000000(円)

科学研究費助成事業 【 表示 ／ 非表示 】

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• 量子情報通信用のＩｎＧａＳｂ系正孔局在型量子ドット構造の開発

  2010年度 ～ 2012年度，挑戦萌芽，22656070

• 金属微小光共振器埋め込み量子ドットにおける電子・光子状態変換に関する研究

  2010年度，基盤Ａ一般，21246048

• 金属微小光共振器埋め込み量子ドットにおける電子・光子状態変換に関する研究

  2009年度，基盤Ａ一般，21246048

• 光ファイバー通信波長帯量子ドットを用いた高次機能光子源の研究

  2008年度，特定領域，17068001

• 光ファイバー通信波長帯量子ドットを用いた高次機能光子源の研究

  2007年度，特定領域，17068001

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担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

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• 半導体工学（電気電子）

  2024年度，学部

• 電磁気学基礎（A～Dクラス）

  2024年度，学部

• 半導体工学（夜間・電気）

  2024年度，学部

• 電磁気学基礎

  2024年度，学部

• 電子回路Ⅰ（電気系コース・機械系コース）

  2024年度，学部

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公開講座等 【 表示 ／ 非表示 】

公開講座等 【 表示 ／ 非表示 】

• 半導体・電子デバイスの歴史と最先端技術

  2010年04月23日，室蘭工業大学，室蘭工業大学，プロビデンス・プログラム，講演

• 電子デバイス工学特論

  2009年08月03日，室蘭工業大学，室蘭工業大学，免許法認定公開講座，講演