基本情報

写真a

植杉 克弘

ウエスギ カツヒロ


担当専攻 博士前期課程

情報電子工学系専攻

担当専攻 博士後期課程

工学専攻

担当学科

情報電子工学系学科

職名

准教授

電子メールアドレス

メールアドレス

ホームページURL

http://www.muroran-it.ac.jp

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 電子・電気材料工学

研究分野キーワード 【 表示 / 非表示

  • 電子材料、半導体

出身大学院・研究科等 【 表示 / 非表示

  • 広島大学・大学院

    1994年,博士後期,工学研究科,材料工学専攻,修了

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 日本表面科学会

  • 応用物理学会

  • Materials Research Society

 

新しい機能を持った光・電子デバイスの実現を目指す

新機能を持った光デバイス・電子デバイス

研究開発の目的

新しい機能を持った光・電子デバイスの作製

原子を1層ずつ結晶成長させ、新しい半導体材料を開発する。表面・界面エンジニアリングと半導体ナノ量子構造の作製により、新しい機能を持った光・電子デバイスが可能となる。

研究開発の概要

相分離させずに新しい混晶半導体結晶を作製

有機金属材料を用いた結晶成長法により、新しい混晶半導体結晶を相分離させずに作製する。また、量子ドット、量子井戸、超格子などを作製し、量子効果により様々な物性や機能を実現していく。それらによって発生する広範囲なバンドギャップエンジニアリングという利点から、新機能を利用した光デバイス・電子デバイスを開発する。

研究紹介

研究開発の特徴/利点

1.研究のポイント 2.研究の新規性
  • 非混和性の強い材料でも、相分離させずに単結晶の作製が可能
  • 表面・界面制御により、半導体量子ドット構造の作製が可能
  • GaAsN(ガリウムヒ素窒素)系半導体混晶の研究
  • II-VI族、III-V族化合物半導体量子ドットの研究
3.従来の技術に比べての優位性 4.特許関連の状況
  • 任意の結晶構造、格子定数の結晶が作製可能
  • 広範囲でバンドギャップエンジニアリングが可能
  • GaAsNSe ノンアロイオーミック電極が可能
  • 特願2001−395421
 

著書 【 表示 / 非表示

  • Dilute Nitride Semiconductors

    I. Suemune, K. Uesugi, S. Ganapathy,Elsevier Ltd.,MOMBE Growth and Characterization of III-V-N Compounds and Application to InAs Quantum Dots,2004年12月

  • Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms

    T. Yao, T. Komura, K. Uesugi and M. Yoshimura,Elsevier Science B.V.,Scanning tunneling microscope study of solid phase epitaxy processes on the Si(001)2x1 surface,1997年03月

  • Growth and optical properties of wide-gap II-VI low dimensional semiconductors

    T. Yao, M. Fujimoto, K. Uesugi and S. Kamiyama,Plenum Publishing Corporation,MBE and ALE ofII-VI compounds: Growth processes and lattice strain in heteroepitaxy,1989年08月

論文 【 表示 / 非表示

  • Metal-organic molecular beam epitaxy of GaAsNSe films using Ga droplets on GaP(001)

    Yuki Shimomura, Yosuke Igarashi, Shinji Kimura, Yuhei Suzuki, Yoshihiro Tada, Hisashi Fukuda, and Katsuhiro Uesugi,Japanese Journal of Applied Physics,55巻,8S1号,2016年08月

  • 液相中への縦波放射を利用したレイリー型表面弾性波センサーの開発

    小川 健吾,鳥越 俊彦,澤田 研,岩佐 達郎,永野 宏治,柴山 義行,夛田 芳広,植杉 克弘,福田 永,電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌),135巻,12号,(頁 490 ~ 495),2015年12月

  • 縦波表面弾性波を用いた液相系センサーの動作特性

    小川健吾、山田真也、鳥越俊彦、澤田 研、岩佐達郎、杉山史一、夛田芳広、植杉克弘、福田 永,表面科学,35巻,6号,(頁 319 ~ 323),2014年06月

  • Mixed P3HT/PCBM Organic Thin-Film Transistors: Relation between Morphology and Electrical Characteristics

    Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Kumar Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda,J. Chem. Chem. Eng.,8巻,(頁 476 ~ 323),2014年05月

  • Organic field-effect transistors with reversible threshold voltage shifts for memory element

    Mohamad, K.A., Alias, A., Saad, I., Uesugi, K., Fukuda, H.,International Journal of Simulation-Systems, Science and Technology,13巻,3C号,(頁 42 ~ 47),2012年06月

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国際会議Proceedings 【 表示 / 非表示

  • Fabrication and characterization of 6, 13-bis (triisopropylsilylethynyl)-pentacene active semiconductor thin films prepared by flow-coating method

    Khairul Anuar Mohamad, Fara Naila Rusnan, Dzulfahmi Mohd Husin Seria, IsmailSaad, Afishah Alias, Uesugi Katsuhiro, Fukuda Hisashi,AIP Conf. Proc.,(頁 020003 ~ ),2015年08月,Negeri Sembilan

  • Electrical and structural characterization of Zn doped CuGaO2 films

    Afishah Alias, Khairul Anuar Mohamad, Katsuhiro Uesugi, Hiroshi Fukuda,2013 IEEE Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM),(頁 183 ~ 185),2013年09月

  • Effect of [6, 6]-Phenyl-C 61 butyric acid methyl ester (PCBM) agglomerated nanostructure on device performance in organic thin-film transistors

    Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hiroshi Fukuda,2013 IEEE RegionalSymposium on Microand Nanoelectronics (RSM),(頁 179 ~ 182),2013年09月

  • Organic field-effect transistors for nonvolatile memory devices using charge-acceptor layers

    Mohamad, K.A., Alias, A., Saad, I., Gosh, B.K., Uesugi, K., Fukuda, H.,10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics,(頁 750 ~ 754),2012年09月

  • Fabrication of CuGaO2 films by sol-gel method for UV detectorapplication

    Alias, A., Mohamad, K.A., Gosh, B.K., Sakamoto, M., Uesugi, K.,10th IEEE International Conferenceon Semiconductor Electronics,(頁 763 ~ 765),2012年09月,Kuala Lumpur

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論説・解説 【 表示 / 非表示

  • 走査トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程の観察

    植杉克弘,小村琢治,吉村雅満,八百隆文,表面科学,16巻,2号,(頁 105 ~ 112),1995年02月

研究報告 【 表示 / 非表示

  • ペロプスカイト太陽電池の高効率化

    植杉克弘,表面科学,38巻,1号,(頁 47),2017年01月

  • 次世代高性能シリコン薄膜デバイス製造に向けた低温シリコン膜の研究開発

    福田 永,植杉 克弘,城 尚志,室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告,24号,(頁 1 ~ 3),2014年02月

  • 次世代高性能シリコンデバイス製造に向けた新規プロセスの研究開発

    福田 永,植杉 克弘,城 尚志,室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告,24号,(頁 4 ~ 6),2014年02月

  • 次世代表面弾性波デバイス製造に向けた微細加工技術に関する研究

    植杉克弘,小川健吾,福田永,室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告,21号,(頁 21 ~ 23),2012年02月

  • GaSb系量子ドットの生成とこれを用いた量子光源の共同研究

    植杉克弘,末宗幾夫,臼井強志,弓貴成,2010年物質・デバイス領域共同研究拠点研究成果報告書,(頁 10 ~ 11),2011年03月

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学会等発表 【 表示 / 非表示

  • Annealing Time Dependence of Sol-gel Derived CuGaO2 Films

    K. Matsuyama, K. Obara, A. Ziana, T. Endo, W. Ikesugi, T. Aoki, and K. Uesugi,International union of materials research society-International conference of advanced materials (IUMRS-ICAM),International union of materials research society,Program Book,(頁 B2O28-003),2017年08月27日,Kyoto,Japan

  • ゾル-ゲル法によるCuGaO2膜の結晶構造のアニール温度依存性

    遠藤琢真,小原健太郎,アリス ジアナ,池杉海航,松山貴一,植杉克弘,第15回討論会,日本ゾル-ゲル学会,日本ゾル-ゲル学会第15回討論会,2017年08月07日,大阪

  • ゾル-ゲル法によるZnドープCuGaO2膜の作製と評価

    池杉海航,小原健太郎,永見耀,松山貴一,遠藤琢真,植杉克弘,第15回討論会,日本ゾル-ゲル学会,日本ゾル-ゲル学会第15回討論会,2017年08月07日,大阪

  • Hetero-epitaxial growth process of GaAsNSe thin films using Ga droplets on Si(110)

    Toru Ozawa, Kotaro Hiraoka, Yosuke Igarashi, Kentaro Obara, and Katsuhiro Uesugi,9th International Conference on Materials for Advanced Technology ICMAT 2017,Materials Research Society of Singapore,9th International Conference on Materials for Advanced Technology,2017年06月18日,Singapore,Singapore

  • Preparation of narrow-bandgap CuGaO2 thin films by sol-gel method

    Alis Ziana, Kentaro Obara, Yoshihiro Tada, Hisashi Fukuda, and Katsuhiro Uesugi,9th International Conference on Materials for Advanced Technology ICMAT 2017,Materials Research Society of Singapore,9th International Conference on Materials for Advanced Technology,2017年06月18日,Singapore,Singapore

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共同研究の実績 【 表示 / 非表示

  • 大企業

    2013年04月01日,情報通信分野,4000000(円)

  • 大企業

    2012年04月01日,情報通信分野,10000000(円)

  • 大企業

    2011年06月01日,情報通信分野,10000000(円)

受託研究の実績 【 表示 / 非表示

  • 公益法人等

    2008年07月08日,情報通信分野,2000000(円)

科学研究費助成事業 【 表示 / 非表示

  • 量子情報通信用のInGaSb系正孔局在型量子ドット構造の開発

    2010年度 ~ 2012年度,挑戦萌芽,22656070

  • 金属微小光共振器埋め込み量子ドットにおける電子・光子状態変換に関する研究

    2010年度,基盤A一般,21246048

  • 金属微小光共振器埋め込み量子ドットにおける電子・光子状態変換に関する研究

    2009年度,基盤A一般,21246048

  • 光ファイバー通信波長帯量子ドットを用いた高次機能光子源の研究

    2008年度,特定領域,17068001

  • 光ファイバー通信波長帯量子ドットを用いた高次機能光子源の研究

    2007年度,特定領域,17068001

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担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 基礎電磁気学(後半)

    2017年度,学部

  • 電子物性

    2017年度,学部

  • 電磁気学I

    2017年度,学部

  • 電磁気学I

    2017年度,学部

  • 基礎電磁気学(前半)

    2017年度,学部

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公開講座等 【 表示 / 非表示

  • 半導体・電子デバイスの歴史と最先端技術

    2010年04月23日,室蘭工業大学,室蘭工業大学,プロビデンス・プログラム,講演

  • 電子デバイス工学特論

    2009年08月03日,室蘭工業大学,室蘭工業大学,免許法認定公開講座,講演